[发明专利]用于制造辐射探测器的方法和辐射探测器

权利要求书

1.一种用于制造用于电离辐射的辐射探测器的方法，所述辐射探测器在探测器层(4、14、24)中包括作为直接转换材料和/或作为闪烁体材料的第一无机-有机卤化物钙钛矿材料，所述方法包括：

提供包括与所述第一无机-有机卤化物钙钛矿材料不同的第二无机-有机卤化物钙钛矿材料的引晶层(3、13、23)的引晶步骤(101)，以及

通过从所述引晶层(3、13、23)上的溶液生长所述第一无机-有机卤化物钙钛矿材料来形成所述探测器层(4、14、24)的层生长步骤(102)。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第一无机-有机卤化物钙钛矿材料和所述第二无机-有机卤化物钙钛矿材料由甲基铵金属卤化物和/或甲脒金属卤化物组成或包括甲基铵金属卤化物和/或甲脒金属卤化物。

3.根据权利要求2所述的方法，

其中，所述金属卤化物是铅卤化物或锡卤化物。

4.根据权利要求3所述的方法，

其中，所述第一无机-有机卤化物钙钛矿材料由碘化物组成或包括碘化物，并且所述第二无机-有机卤化物钙钛矿材料由溴化物组成或包括溴化物。

5.根据权利要求4所述的方法，

其中，所述溶液是金属乙酸盐/碘化氢溶液与甲胺/碘化氢溶液的混合物。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中，在所述层生长步骤(102)中，在所述探测器层(14)中包括(103)发光材料。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中，所述发光材料包括发光量子点和/或磷光体颗粒。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述层生长步骤(102)被提供为使得所述探测器层具有10μm或更大的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，

还包括在所述探测器层(24)上提供平坦化电荷阻挡层(26)的平坦化步骤(104)。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过局部沉积所述第二无机-有机卤化物钙钛矿材料来提供所述引晶层(3、13、23)的结构的提供步骤(101)。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

通过喷墨、缝型模和/或丝网印刷来提供所述引晶层(3、13、23)的结构的提供步骤(101)。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述提供步骤(101)之前的、使要在其上沉积所述引晶层的衬底的表面粗糙化的粗糙化步骤(100)。

13.一种用于探测电离辐射的辐射探测器，包括探测器层(4、14、24)，其中，所述辐射探测器借助于根据权利要求1所述的方法的步骤来制造，其中，所述辐射探测器包括所述引晶层(3、13、23)和所述探测器层(4、14、24)，所述引晶层包括与所述第一无机-有机卤化物钙钛矿材料不同的所述第二无机-有机卤化物钙钛矿材料，并且所述探测器层是通过从所述引晶层(3、13、23)上的溶液生长所述第一无机-有机卤化物钙钛矿材料而形成的。

14.根据权利要求13所述的辐射探测器，包括：

-按如下顺序的衬底(1、11、21)、结构化的多个底部电极(2、12、22)、探测器层(4、14、24)和顶部电极(5、15、25)，其中，在所述底部电极(2、12、22)中的每个上提供所述引晶层(3、13、23)的一部分，或者

-按如下顺序的衬底(1、11、21)、结构化的多个电极(2、12、22)和所述探测器层(4、14、24)，其中，在所述电极(2、12、22)中的每个上提供所述引晶层(3、13、23)的一部分，并且所述电极(2、12、22)包括阳极和阴极。