[发明专利]具有氯正掺杂包层的低弯曲损耗单模光纤

说明书

同时具有低宏弯曲损耗和低微弯曲损耗的光纤。光纤具有：中心纤芯区域(1)，围绕中心纤芯区域(1)的第一(内)包层区域(2)，其具有r₂16微米的外半径和相对折射率Δ₂，以及围绕第一包层区域(2)的第二(外)包层区域(3)，其具有相对折射率Δ₃，其中，Δ₁Δ₃Δ₂。Δ₃和Δ₂之间的差异大于0.12％。光纤展现出小于或等于1260nm的22m光缆截止，以及r₁/r₂大于或等于0.24，以及对于15mm直径心轴，1550nm处的弯曲损耗小于0.5dB/圈。

本申请根据35 U.S.C.§119，要求2015年09月15日提交的美国临时申请系列第62/218,820号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及具有低弯曲损耗的光纤。

背景技术

存在对于低弯曲损耗的光纤的需求，特别是用于所谓的“接入(acces)”的光纤以及前提(Ft.)光学网络的光纤。可以在此类网络中以诱发传输通过光纤的光信号中的弯曲损耗的方式配置光纤。一些施加诱发弯曲损耗的物理需求(例如紧弯曲半径、光纤的压缩等)的应用包括光纤在光学下降电缆组件中的配置，具有工厂安装终端系统(FITS)和膨胀圈的分布电缆，位于连接馈电线和分布电缆的机柜内的小弯曲半径多端口，以及分配器和下降电缆之间的网络接入点中的跳线。难以在一些光纤设计中同时实现低弯曲损耗和低光缆截止波长。

发明内容

本文揭示了波导光纤，其包括：(i)具有外半径r₁和相对折射率Δ₁的中心纤芯区域；和(ii)围绕中心纤芯区域的包层，其包括：(a)第一包层区域，它具有外半径r₂10微米和相对折射率Δ₂，和(b)围绕第一包层区域的第二包层区域，它具有相对折射率Δ₃和外半径r₃，其中，第二包层区域包含至少1.2重量％氯(Cl)，以及其中，Δ₁Δ₃Δ₂，并且Δ₃与Δ₂之差大于0.12％，以及Δ₃大于0.12(例如，大于1.25％)；以及光纤展现出：在1310nm波长处大于9μm的模场直径MFD，和1550nm处对于15mm直径心轴的弯曲损耗小于0.5dB/圈。在一些实施方式中，r₁/r₂大于或等于0.24。在一些实施方式中，r₁/r₂大于0.25，更优选大于0.3，例如，0.45r₁/r₂0.25。在一些实施方式中，0.4≥r₁/r₂≥0.26。根据本文所揭示的示例性实施方式，第一包层区域基本上包括纯二氧化硅(SiO₂)。在一些实施方式中，Δ₃与Δ₂之差大于0.12％，以及在一些实施方式中，大于0.12％(例如，0.13％)，例如，0.12-0.25％或者0.12-0.2％。在至少一些实施方式中，光纤展现出MAC数6.5，以及在一些实施方式中，大于7.5。本文所揭示的示例性光纤优选展现出小于或等于1260nm(例如，1175-1255nm)的22m光缆截止。

根据至少一些示例性实施方式，光纤的中心纤芯区域基本展现出α分布，α小于10，例如小于6，以及在一些实施方式中，小于4。