[发明专利]具有氯正掺杂包层的低弯曲损耗单模光纤

权利要求书

1.一种光纤，其包括：

(i)具有外半径r₁和折射率Δ₁的中心纤芯区域，

(ii)围绕所述中心纤芯区域的包层，所述包层包括：

(a)第一包层区域，其具有外半径25微米r₂16微米和相对折射率Δ₂，其中，r₁/r₂之比大于0.24，和

(b)围绕所述第一包层区域的第二包层区域，其具有相对折射率Δ₃和外半径r₃，其中，所述第二包层区域包含至少1.25重量％氯(Cl)，以及其中，Δ₁Δ₃Δ₂，以及其中，Δ₃与Δ₂之间的差异大于0.12％，和Δ₃0.12％；

以及，所述光纤展现出1310nm处大于9微米的模场直径MFD；和1550nm处，对于15mm直径心轴小于0.5dB/圈的弯曲损耗。

2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，Δ₃与Δ₂之差大于0.13％。

3.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，Δ₃与Δ₂之差为大于0.12％至0.25％。

4.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤展现出小于或等于1260nm的22m光缆截止。

5.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤的中心纤芯区域展现出小于10的α。

6.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤还展现出1550nm处小于或等于0.07dB/km的丝网覆盖鼓微弯曲损耗。

7.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述第一包层区域包含小于0.02重量％的氟。

8.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述第一包层区域基本不含氟和氧化锗。

9.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，对于从r₂延伸到至少30微米半径的长度，Δ₃Δ₂。

10.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述第一包层区域的体积是|V₂|30％Δ微米²。

11.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤在1550nm处展现出小于或等于0.186dB/km的衰减。

12.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述中心纤芯区域包括大于或等于0.70％的最大折射率(Δ₁)。

13.如权利要求1-12中任一项所述的光纤，其特征在于，所述光纤展现出：

1310nm处的MFD9微米；

光缆截止波长1260nm；

零色散波长1324nm；

10mm直径的弯曲损耗1.5dB/圈；

15mm直径的弯曲损耗0.5dB/圈；

其中，所述弯曲损耗是宏弯曲损耗，并且是在1550nm波长进行测量。