[发明专利]光电转换元件及其制造方法

说明书

光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此，可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。

技术领域

本申请案主张2015年9月16日申请的特愿2015-182713号的优先权的利益，且以参照的方式将其全部内容引用在本文中。

本发明的一个方式涉及一种光电转换元件及其制造方法。

背景技术

关于将太阳光等光能转换为电能的光电转换元件，近年来，从地球环境问题的观点出发，很期待其作为新能源。已知有为了提升光能转换为电能的效率，具有在光入射面相反侧的半导体基板的背面形成有电极、p型半导体层及n型半导体层的异质结背接触结构的光电转换元件(例如参照专利文献1)。专利文献1中记载有一种光电转换元件的制造方法，其具有使用蚀刻膏将形成在基板背面的p型半导体层与n型半导体层图案化的步骤。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2013-239476号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

并且，例如，若对p型半导体层上施加蚀刻膏，则蚀刻膏会在p型半导体层上润湿扩散。因此，难以高精度地使p型半导体层图案化。

本发明的一个方式是鉴于所述问题而完成的，其目的在于提供使半导体层高精度地图案化的光电转换元件及其制造方法。

解决问题的手段

本发明的第一方式的光电转换元件具有：半导体基板，其具有第一表面及第一表面相反侧的第二表面；第一非晶质半导体层，其设在第二表面上，且具有第一导电型；及第二非晶质半导体层，其设在第二表面上，且具有不同于第一导电型的第二导电型。第二非晶质半导体层的缘部位于第一非晶质半导体层的缘部上。本发明的第一方式的光电转换元件还具有设在第一非晶质半导体层的缘部与第二非晶质半导体层的缘部之间的斥液层。斥液层并未设在除第一非晶质半导体层的缘部与第二非晶质半导体层的缘部之间以外的第一非晶质半导体层与第二非晶质半导体层之间。本发明的第一方式的光电转换元件还具有：第一电极，其设在第二表面上，且与第一非晶质半导体层电连接；及第二电极，其设在第二表面上，且与第二非晶质半导体层电连接。

本发明的第二方式的光电转换元件具有：半导体基板，其具有第一表面及第一表面相反侧的第二表面；p型第一非晶质半导体层，其设在第二表面上；及n型第二非晶质半导体层，其设在第二表面上。第二非晶质半导体层的缘部位于第一非晶质半导体层的缘部上。本发明的第二方式的光电转换元件还具有设在第一非晶质半导体层的缘部与第二非晶质半导体层的缘部之间的n型半导体层。n型半导体层并未设在除第一非晶质半导体层的缘部与第二非晶质半导体层的缘部之间以外的第一非晶质半导体层与第二非晶质半导体层之间。本发明的第二方式的光电转换元件还具有：第一电极，其设在第二表面上，且与第一非晶质半导体层电连接；及第二电极，其设在第二表面上，且与第二非晶质半导体层电连接。