[发明专利]光电转换元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换元件，其特征在于，具有：

半导体基板，其具有第一表面及所述第一表面的相反侧的第二表面；

p型第一非晶质半导体层，其设在所述第二表面上；及

n型第二非晶质半导体层，其设在所述第二表面上；所述第二非晶质半导体层的缘部位于所述第一非晶质半导体层的缘部上，此外，

还具有设在所述第一非晶质半导体层的所述缘部与所述第二非晶质半导体层的所述缘部之间的n型硅层，所述n型硅层并未设在除所述第一非晶质半导体层的所述缘部与所述第二非晶质半导体层的所述缘部之间以外的所述第一非晶质半导体层与所述第二非晶质半导体层之间，

还具有i型非晶质半导体层，其设于所述n型硅层与所述第二非晶质半导体层的所述缘部之间，此外，还具有：

第一电极，其设在所述第二表面上，且与所述第一非晶质半导体层电连接；及

第二电极，其设在所述第二表面上，且与所述第二非晶质半导体层电连接。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，在所述半导体基板与所述第一非晶质半导体层之间还具有第一i型非晶质半导体层。

3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其特征在于，在所述半导体基板与所述第二非晶质半导体层之间还具有所述i型非晶质半导体层。

4.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其特征在于，在所述半导体基板的所述第一表面，设有使所述第一表面的光反射率下降的凹凸结构。

5.一种光电转换元件的制造方法，其特征在于，具有如下步骤：

准备具有第一表面与所述第一表面相反侧的第二表面的半导体基板；

在所述半导体基板的所述第二表面上，形成具有第一导电型的第一非晶质半导体层；

在所述第一非晶质半导体层上形成斥液层；

在所述斥液层上形成蚀刻膏；

使用所述蚀刻膏，去除所述斥液层及所述第一非晶质半导体层的一部分；

在所述斥液层上、及已去除所述第一非晶质半导体层的所述半导体基板的所述第二表面上，形成具有不同于所述第一导电型的第二导电型的第二非晶质半导体层；

去除所述第二非晶质半导体层的一部分；

去除所述斥液层的一部分；

在所述第二表面上，设置与所述第一非晶质半导体层电连接的第一电极；及

在所述第二表面上，设置与所述第二非晶质半导体层电连接的第二电极，

所述第二非晶质半导体层的缘部位于所述第一非晶质半导体层的缘部上，

与所述第一非晶质半导体层相比，所述斥液层上所述蚀刻膏的润湿扩散更少，

所述第一导电型为p型，所述第二导电型为n型，所述斥液层为n型半导体层。

6.根据权利要求5所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，所述斥液层的表面与所述蚀刻膏的接触角为45°以上135°以下。

7.根据权利要求5或6所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，所述蚀刻膏含有磷酸。

8.根据权利要求5或6所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，

所述n型半导体层并未设在除所述第一非晶质半导体层的所述缘部与所述第二非晶质半导体层的所述缘部之间以外的所述第一非晶质半导体层与所述第二非晶质半导体层之间。

9.根据权利要求5或6所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，在所述第一非晶质半导体层上形成所述斥液层包括对所述第一非晶质半导体层的表面进行斥液处理。

10.根据权利要求9所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，对所述第一非晶质半导体层的所述表面进行斥液处理包括将所述第一非晶质半导体层的表面暴露于甲硅烷基化剂中。

11.根据权利要求5或6所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：在所述半导体基板和所述第一非晶质半导体层之间形成第一i型非晶质半导体层。