[发明专利]伪双端口存储器

说明书

公开了存储器和用于访问存储器的方法的各方面。存储器包括多个存储器单元，其被配置为在第一模式下在存储器周期中支持读取操作和写入操作以及第二模式下在存储器周期中支持只写操作。存储器还包括被配置为生成用于读取操作的读取时钟和用于写入操作的写入时钟的控制电路。在第一模式下写入时钟的定时是读取时钟的定时的函数，并且在第二模式下是存储器周期的定时。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年9月15日提交的标题为“PSEUDO DUAL PORT MEMORY”的美国专利申请第14/855,319号的权益，其全部内容通过引用明确并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及集成电路，并且更具体地涉及伪双端口(PDP)存储器。

背景技术

双端口存储器在单个时钟周期内处理读取操作和写入操作两者。双端口存储器通常包括与存储器单元阵列一起操作的两个端口，存储器单元阵列可以从两个端口被同时访问。

为了减少存储器占用的面积，可以使用伪双端口(PDP)存储器来代替双端口存储器。PDP存储器的核心是单核存储器，其提供单个存储器访问，而不是像双端口存储器那样提供两个同时的存储器访问。然而，PDP存储器被配置为通过在存储器周期中顺序地执行两个存储器访问来模拟双端口存储器。例如，在特定的存储器周期中，PDP存储器可以执行读取操作，并且然后执行写入操作。

发明内容

公开了一种存储器的各方面。存储器包括多个存储器单元，被配置为在第一模式下在存储器周期中支持读取操作和写入操作以及第二模式下在存储器周期中支持只写操作。存储器还包括控制电路，被配置为生成用于读取操作的读取时钟和用于写入操作的写入时钟。写入时钟响应于在第一模式下读取时钟的重置和在第二模式下存储器周期的开始而被生成。

公开了一种访问存储器的方法的各方面。存储器包括多个存储器单元，被配置为在第一模式下在存储器周期中支持读取操作和写入操作以及在第二模式下在存储器周期中支持只写操作。该方法包括：在第一模式下生成用于读取操作的读取时钟和用于写入操作的写入时钟，其中写入时钟响应于在第一模式下读取时钟的重置而被生成；以及在第二模式下响应于存储器周期的开始来生成用于写入操作的写入时钟。

公开了一种存储器的进一步的方面。存储器包括多个存储器单元，被配置为在第一模式下在存储器周期中支持读取操作和写入操作以及在第二模式下在存储器周期中支持只写操作。存储器还包括控制电路，被配置为生成用于读取操作的读取时钟和用于写入操作的写入时钟。在第一模式下，写入时钟的定时是读取时钟的定时的函数。与在第一模式下相比，写入时钟在第二模式下在存储器周期中较早地出现。

公开了一种存储器的进一步的方面。存储器包括多个存储器单元，被配置为在第一模式下在存储器周期中支持读取操作和写入操作以及在第二模式下在存储器周期中支持只写操作。存储器还包括控制电路，被配置为生成用于读取操作的读取时钟和用于写入操作的写入时钟。写入时钟响应于在第一模式下读取时钟的重置而被生成。与在第一模式下相比，写入时钟在第二模式下在存储器周期中较早地出现。

基于以下详细描述，本文中描述的装置的其他方面对于本领域技术人员而言将变得显而易见，其中存储器的各个方面以示例的方式被示出和描述。这些方面可以以很多不同的形式来实现，并且在不偏离本发明的范围的情况下，其细节可以以各种方式来修改。因此，本文中提供的附图和详细描述本质上被认为是说明性的，而不是限制权利要求的范围。

附图说明

现在将参考附图在详细描述中以示例而非限制的方式给出存储器的各个方面，在附图中：

图1是静态随机存取存储器(SRAM)的示例性实施例的功能框图。

图2是用于SRAM的存储器单元的示例性实施例的示意图。