[发明专利]使用多射束工具的反向散射电子(BSE)成像

说明书

本发明揭示多射束扫描电子显微镜检验系统。多射束扫描电子显微镜检验系统可包含电子源及小射束控制机构。所述小射束控制机构可经配置以利用由所述电子源提供的电子而产生多个小射束且在某个时刻朝向目标递送所述多个小射束中的一者。所述多射束扫描电子显微镜检验系统还可包含检测器，其经配置以至少部分基于反向散射出所述目标的电子而产生所述目标的图像。

相关申请案的交叉参考

本申请案根据35U.S.C.§119(e)主张2015年9月23日申请的第62/222,351号美国临时申请案的权益。所述第62/222,351号美国临时申请案的全文特此以引用的方式并入本文中。

本申请案涉及同在申请中及共同待决的具有科磊(KLA Tencor)公司档案号码P4779且标题为“多射束暗场成像(Multi-Beam Dark Field Imaging)”并将道格拉斯·马沙娜特(Douglas Masnaghetti)等人列为发明者的美国专利申请案第(待被分配)，所述专利申请案的全文以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及检验系统领域，且尤其涉及电子射束检验系统。

背景技术

薄抛光板(例如硅晶片及类似物)是现代技术的非常重要的部分。例如，晶片可指代集成电路及其它装置的制造中所使用的半导体材料的薄片。晶片经受缺陷检验，且扫描电子显微镜(SEM)检验被认为是晶片缺陷检验的最敏感的形式中的一者。

扫描电子显微镜(SEM)是通过使用聚焦电子射束扫描目标(例如，晶片)来产生所述目标的图像的类型的电子显微镜。电子与目标中的原子相互作用，从而产生含有关于所述目标的表面形貌及组合物的信息的各种信号。应注意，可通过增加聚焦电子射束的数目(提供被称为多射束SEM的SEM)来增加SEM的处理量。然而，还应注意，利用多聚焦电子射束使反向散射电子(BSE)成像复杂化。因此，BSE成像不受当前可用多射束SEM支持。

发明内容

本发明涉及一种设备。所述设备可包含电子源及小射束控制机构。所述小射束控制机构可经配置以利用由所述电子源提供的电子而产生多个小射束且在某个时刻朝向目标递送所述多个小射束中的一者。所述设备还可包含检测器，其经配置以至少部分基于反向散射出所述目标的电子而产生所述目标的图像。

本发明的进一步实施例涉及一种设备。所述设备可包含电子源及小射束控制机构。所述小射束控制机构可经配置以利用由所述电子源提供的电子而产生多个小射束且在某个时刻朝向目标递送所述多个小射束中的一者。所述设备还可包含检测器阵列，其对应于所述多个小射束。所述检测器阵列可经配置以至少部分基于反向散射出所述目标的电子而产生所述目标的图像。

本发明的额外实施例涉及一种设备。所述设备可包含电子源及小射束控制机构。所述小射束控制机构可经配置以利用由所述电子源提供的电子而产生多个小射束且在第一时刻递送所述多个小射束的第一小射束朝向目标且在第二时刻递送所述多个小射束的第二小射束朝向所述目标。所述设备还可包含检测器，其经配置以至少部分基于反向散射出所述目标的电子而产生所述目标的图像。

应了解，以上一般描述及以下详细描述两者仅供示范及解释且不一定限制本发明。并入本说明书中且构成本说明书的部分的附图说明本发明的目标。描述及图式一起用于说明本发明的原理。

附图说明

所属领域的技术人员通过参考附图可更好地了解本发明的众多优点。

图1是描述简化多射束SEM检验系统的说明；

图2是描述根据本发明的实施例而配置的多射束SEM检验系统的说明；

图3是描述根据本发明的实施例而配置的另一多射束SEM检验系统的说明；

图4是描述根据本发明的实施例而配置的另一多射束SEM检验系统的说明；