[发明专利]多次可编程的非易失性存储器单元

权利要求书

1.一种非易失性可编程存储器位单元，包括：

读取使能器件，包括与位线耦合的源极；

反熔丝器件，包括与第一写入线耦合的栅极、浮置的漏极以及与所述读取使能器件的漏极耦合的源极；以及

熔丝器件，耦合在第二写入线与所述读取使能器件的所述漏极之间，

其中所述非易失性可编程存储器位单元是通过熔断所述反熔丝器件而一次可编程的，并且是通过熔断所述熔丝器件而另一次可编程的。

2.根据权利要求1所述的非易失性可编程存储器位单元，其中，所述反熔丝器件被配置为当向所述第一写入线施加相对于所述位线电压的高电压并且所述读取使能器件导通时熔断。

3.根据权利要求1所述的非易失性可编程存储器位单元，其中，所述熔丝器件被配置为当向所述第二写入线施加相对于所述位线电压的高电压并且所述读取使能器件导通时熔断。

4.根据权利要求1所述的非易失性可编程存储器位单元，进一步包括感测电路装置，所述感测电路装置被配置为：通过响应于施加至所述第一写入线和所述第二写入线的电压而感测在所述位线中电流，来读取所述位单元的状态。

5.根据权利要求1所述的非易失性可编程存储器位单元，其中，所述非易失性可编程存储器位单元是通过熔断所述反熔丝器件而首次可编程的，并且是通过熔断所述熔丝器件而二次可编程的。

6.根据权利要求1所述的非易失性可编程存储器位单元，进一步包括控制电路，所述控制电路与所述第一写入线和所述第二写入线耦合，并且被配置用于施加读取电压至所述第一写入线以便于读取所述反熔丝器件，并且施加读取电压至所述第二写入线以便于读取所述熔丝器件。

7.根据权利要求1所述的非易失性可编程存储器位单元，进一步包括控制电路，所述控制电路与所述第一写入线和所述第二写入线耦合，并且被配置用于使用所述位单元作为单个多次可编程MTP存储器单元。

8.根据权利要求7所述的非易失性可编程存储器位单元，其中，所述控制电路被配置用于在一次编程之后通过包括施加读取电压至所述反熔丝器件的栅极并且导通所述读取使能器件来读取所述MTP存储器单元。

9.根据权利要求1所述的非易失性可编程存储器位单元，进一步包括控制电路，所述控制电路与所述第一写入线和所述第二写入线耦合，并且被配置用于使用所述反熔丝器件和所述熔丝器件来存储多个位值，所述多个位值可以通过独立地读取所述反熔丝器件和熔丝器件中的每个器件而被获得；

其中，所述位单元是用作现场可编程门阵列的配置存储器的非易失性可编程位单元的重复图案的一个实例。

10.根据权利要求1所述的非易失性可编程存储器位单元，其中，所述位单元被配置作为多次可编程MTP位单元，以及

在对所述MTP位单元进行编程之前，所述MTP位单元是包括未熔断反熔丝器件和未熔断熔丝器件的未编程MTP位 单元，

所述未编程MTP位单元是通过熔断所述未熔断反熔丝器件和所述未熔断熔丝器件中的一个而首次可编程的，以提供包括熔断器件和未熔断器件的一次编程MTP位单元，以及

所述一次编程MTP位单元是通过熔断所述未熔断器件而二次可编程的，以提供包括熔断反熔丝器件和熔断熔丝器件的二次编程MTP位单元。

11.根据权利要求10所述的非易失性可编程存储器位单元，其中，所述未编程MTP位单元是通过熔断所述未熔断熔丝器件而首次可编程的，以提供包括熔断熔丝器件和未熔断反熔丝器件的一次编程MTP位 单元。

12.根据权利要求10所述的非易失性可编程存储器位单元，其中，所述未编程MTP位单元是通过熔断所述未熔断反熔丝器件而首次可编程的，以提供包括熔断反熔丝器件和未熔断熔丝器件的一次编程MTP位 单元。