[发明专利]交叉点存储器单元阵列及形成交叉点存储器单元阵列的方法

说明书

本发明揭示了一种形成交叉点存储器单元阵列的方法，其包括针对所形成的存储器单元中的个别者沿着间隔开的下第一线且在高度上在间隔开的下第一线上方形成间隔开的导电下电极柱。壁在高度上在第一线上方且在沿着第一线的电极柱之间交叉。电极柱及壁形成第一线之间的间隔开的开口。使用所形成的存储器单元的可编程材料给开口加衬里以使用可编程材料未足量填充开口。在开口的剩余体积内可编程材料上方形成导电上电极材料，且在高度上在开口内的导电上电极材料上方形成与第一线交叉的间隔开的上第二线。选择装置介于下电极柱与下伏第一线之间或介于导电上电极材料与上覆第二线之间。本发明的方面包含独立于制造方法的交叉点存储器单元阵列。

技术领域

本文中揭示的实施例涉及交叉点存储器单元阵列且涉及形成交叉点存储器单元阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路，且用于计算机系统中以供存储数据。可以个别存储器单元的一或多个阵列制造存储器。可使用数字线(其也可被称为位线、数据线、感测线或数据/感测线)及存取线(其也可被称为字线)写入到存储器单元或从存储器单元读取。数字线可沿着阵列的列使储器单元导电互连，且存取线可沿着阵列的行使存储器单元导电互连。可通过数字线及存取线的组合唯一寻址每一存储器单元。

存储器单元可为易失性或非易失性。非易失性存储器单元可存储数据达延长的时间段，包含在关闭计算机时。易失性存储器耗散且因此需要(在许多实例中每秒多次)刷新/重写。无论如何，存储器单元经配置以在至少两个不同可选择状态中留存或存储存储器。在二进制系统中，状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储信息的两个以上电平或状态。

电容器是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。电容器具有通过电绝缘材料分离的两个电导体。作为电场的能量可被静电存储在此材料内。一种类型的电容器是具有作为绝缘材料的至少部分的铁电材料的铁电电容器。铁电材料通过具有两个稳定极化状态特性化且由此可包括存储器单元的可编程材料。铁电材料的极化状态可通过适当编程电压的施加而改变，且在编程电压的移除之后保持(至少一段时间)。每一极化状态具有不同于另一者的电荷存储电容，且其理想上可用来写入(即，存储)及读取存储器状态而不反转极化状态，直到期望反转极化状态。较不合意的是，在具有铁电电容器的一些存储器中，读取存储器状态的动作可反转极化。因此，在确定极化状态后，进行存储器单元的重写以在其确定之后不久将所述存储器单元放置于预读取状态中。无论如何，并入铁电电容器的存储器单元归因于形成电容器的部分的铁电材料的双稳定特性而理想上是非易失性。一种类型的存储器单元具有与铁电电容器串联电耦合的选择装置。

另一类型的非易失性存储器是相变存储器。此存储器使用具有在两个不同相位之间(例如，在非晶系无序相位与结晶或多晶有序相位之间)切换的性质的可逆可编程材料。两个相位可与明显不同值的电阻率相关联。目前，虽然可开发其它材料，但是典型相变材料是硫属化物。运用硫属化物，当材料在非晶系(更多电阻性)相位与结晶(更多导电性)相位之间传递时，电阻率可变动两个或两个以上数量级。可通过局部增加硫属化物的温度而获得相变。在150℃之下，两个相位均是稳定的。从非晶系状态开始且升高到高于约400℃的温度，可发生微晶的快速成核，且如果将材料保持于结晶温度达足够长时间，那么其经历相变以变成结晶。可通过将温度升高到熔融温度(约600℃)以上随后快速冷却而导致逆转到非晶系状态。

存在且无疑将开发用于存储器单元的其它可逆可编程材料。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的包括交叉点存储器单元阵列的部分的衬底片段的概略等角视图。

图2是图1衬底的部分的放大侧视图。

图3是根据本发明的实施例的包括交叉点存储器单元阵列的部分的衬底片段的概略等角视图。

图4是根据本发明的实施例的包括交叉点存储器单元阵列的部分的衬底片段的概略等角视图。

图5是根据本发明的实施例的过程中的图1的衬底的前导衬底的概略等角视图。