[发明专利]交叉点存储器单元阵列及形成交叉点存储器单元阵列的方法

权利要求书

1.一种形成交叉点存储器单元阵列的方法，其包括：

针对所形成的所述存储器单元中的个别者沿着间隔开的靠下的第一线且在高度上在所述间隔开的靠下的第一线上方形成间隔开的下电极柱，壁在高度上在所述第一线上方且在沿着所述第一线的所述电极柱之间交叉，所述电极柱及壁形成所述第一线之间的间隔开的开口；

使用所形成的所述存储器单元的可编程材料给所述开口加衬里以使用所述可编程材料未足量填充所述开口；及

在所述开口的剩余体积内所述可编程材料上方形成导电上电极材料且在高度上在所述开口内的所述导电上电极材料上方形成与所述第一线交叉的间隔开的靠上的第二线，对于所述存储器单元中的所述个别者，选择装置介于所述下电极柱与下伏的第一线之间或介于所述导电上电极材料与上覆的第二线之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电上电极材料经形成以填充所述开口的全部所述剩余体积。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述导电上电极材料经形成以过填充所述开口的全部所述剩余体积。

4.根据权利要求1所述的方法，其中对于所述存储器单元中的所述个别者，所述选择装置介于所述导电上电极材料与所述上覆的第二线之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择装置介于所述下电极柱与所述下伏的第一线之间。

6.根据权利要求5所述的方法，其包括掩蔽步骤；使用仅三个掩蔽步骤来形成全部所述间隔开的第一线、所述电极柱、所述间隔开的第二线及所述选择装置。

7.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述电极柱的顶部上方形成所述可编程材料，且所述可编程材料保持在所述阵列的成品构造中。

8.根据权利要求7所述的方法，其包括在高度上在所述可编程材料上方形成所述导电上电极材料，所述可编程材料处在所述电极柱的所述顶部上方且保持在所述成品构造中。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述可编程材料在多个所述柱的多个所述顶部及侧壁上方及在所述导电上电极材料下方是连续的。

10.一种形成交叉点存储器单元阵列的方法，其包括：

纵向沿着间隔开的靠下的第一线且在高度上在所述间隔开的靠下的第一线上方形成第一间隔开的开口，所述第一间隔开的开口介于在所述第一线之间的第一对置壁之间且介于沿着所述第一线且在高度上在所述第一线上方交叉的第二对置壁之间；

在所述第一间隔开的开口中的个别者内形成用于所述存储器单元中的个别者的下电极柱；

移除所述第一对置壁以在所述第一线之间形成第二间隔开的开口，所述第二间隔开的开口介于所述第二对置壁及所述电极柱之间；

使用所形成的所述存储器单元的可编程材料给所述第二间隔开的开口加衬里以使用所述可编程材料未足量填充所述第二间隔开的开口；及

在所述第二间隔开的开口的剩余体积内所述可编程材料上方形成导电上电极材料，且在高度上在所述第二间隔开的开口内的所述导电上电极材料上方形成与所述第一线交叉的间隔开的靠上的第二线，对于所述存储器单元中的所述个别者，选择装置介于所述下电极柱与下伏的第一线之间或介于所述导电上电极材料与上覆的第二线之间。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一对置壁及所述第二对置壁具有相对于彼此不同的组合物。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一对置壁的所述移除包括相对于所述第二对置壁及所述下电极柱选择性地蚀刻所述第一对置壁。

13.根据权利要求10所述的方法，其包括使所述下电极柱在高度上凹入所述第一间隔开的开口内。

14.根据权利要求13所述的方法，其包括在移除所述第一对置壁之前进行所述凹入。