[发明专利]加工对象物切断方法和加工对象物切断装置有效
申请号: | 201680048101.3 | 申请日: | 2016-08-08 |
公开(公告)号: | CN107924830B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 奥间惇治;杉本阳 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B23K26/53 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;谢弘 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 对象 切断 方法 装置 | ||
一种加工对象物切断方法,将包含由结晶材料构成的基板与配置于基板的表面上的多个功能元件的加工对象物切断。一种加工对象物切断方法,其包括:结晶方位确定工序,确定基板的结晶方位;切断预定线设定工序,在结晶方位确定工序后,在加工对象物设定通过形成于相邻的功能元件之间的街道区域的切断预定线;和切断工序,在切断预定线设定工序后,沿着切断预定线,将加工对象物切断。切断预定线设定工序中,在街道区域的延伸方向与结晶方位不一致时,在加工对象物设定与结晶方位平行且相对于街道区域的延伸方向倾斜的切断预定线。
技术领域
本发明的一个方面涉及加工对象物切断方法和加工对象物切断装置。
背景技术
已知如下技术:对包含由结晶材料构成的基板的加工对象物,分别沿着设定为格子状的多个切断预定线,形成切断起点区域,使龟裂从该切断起点区域到达加工对象物的表面和背面,由此,分别沿着多个切断预定线,将加工对象物切断,获得多个芯片(例如,参照专利文献1)。作为切断起点区域,例如,可以列举形成于基板的内部的改质区域和形成于加工对象物的表面的沟等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-108459号公报
发明内容
发明所要解决的课题
当利用如上所述的技术将加工对象物切断而获得多个芯片时,有时在芯片的切断面出现阶差而造成芯片的良品率下降。因此,加工对象物切断方法中寻求使切断面平滑化。
本发明的一个方面的目的在于,提供一种能够使切断面平滑化的加工对象物切断方法和加工对象物切断装置。
用于解决课题的方法
本发明的一个方面所涉及的加工对象物切断方法,是将包含由结晶材料构成的基板与配置于基板的表面上的多个功能元件的加工对象物切断的加工对象物切断方法,其包括:结晶方位确定工序,确定基板的结晶方位;切断预定线设定工序,在结晶方位确定工序后,在加工对象物设定通过形成于相邻的功能元件之间的街道区域的切断预定线;和切断工序,在切断预定线设定工序后,沿着切断预定线,将加工对象物切断,切断预定线设定工序中,在街道区域的延伸方向与结晶方位不一致时,在加工对象物设定与结晶方位平行且相对于街道区域的延伸方向倾斜的切断预定线。
本发明的一个方面所涉及的加工对象物切断装置,是将包含由结晶材料构成的基板与配置于基板的表面上的多个功能元件的加工对象物切断的加工对象物切断装置,其具有:结晶方位确定部,确定基板的结晶方位;切断预定线设定部,在加工对象物设定通过形成于相邻的功能元件之间的街道区域的切断预定线;和切断部,沿着切断预定线,将加工对象物切断,切断预定线设定部在街道区域的延伸方向与结晶方位不一致时,在加工对象物设定与结晶方位平行且相对于街道区域的延伸方向倾斜的切断预定线。
本发明的发明人发现,切断面中的阶差的出现是由于切断预定线相对于加工对象物的基板的结晶方位偏移地设定而引起的。在该见解下,本发明的加工对象物切断方法和加工对象物切断装置,在街道区域的延伸方向与结晶方位不一致时,在加工对象物设定与结晶方位平行且相对于街道区域的延伸方向倾斜的切断预定线。由此,即使在街道区域的延伸方向与结晶方位不一致时,也抑制切断预定线相对于结晶方位偏移地设定的情况。能够抑制切断面中的阶差的出现,能够使切断面平滑化。
在本发明的一个方面所涉及的加工对象物切断方法中,切断预定线设定工序中,也可以将切断预定线设定于在街道区域的宽度方向上切断预定线落入街道区域内的位置。在本发明的一个方面所涉及的加工对象物切断装置中,切断预定线设定部也可以将切断预定线设定于在街道区域的宽度方向上切断预定线落入街道区域内的位置。由此,在切断加工对象物而获得多个芯片时,能够降低不良的芯片的数目。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造