[发明专利]加工对象物切断方法和加工对象物切断装置有效
申请号: | 201680048101.3 | 申请日: | 2016-08-08 |
公开(公告)号: | CN107924830B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 奥间惇治;杉本阳 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B23K26/53 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;谢弘 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 对象 切断 方法 装置 | ||
1.一种加工对象物切断方法,其特征在于:
是将包含由结晶材料构成的基板与配置于所述基板的表面上的多个功能元件的加工对象物切断的加工对象物切断方法,
所述加工对象物切断方法包括:
结晶方位确定工序,确定所述基板的结晶方位;
切断预定线设定工序,在所述结晶方位确定工序后,在所述加工对象物设定通过形成于相邻的功能元件之间的街道区域的切断预定线;和
切断工序,在所述切断预定线设定工序后,沿着所述切断预定线,将所述加工对象物切断,
所述切断预定线设定工序中,在所述街道区域的延伸方向与所述结晶方位不一致时,在所述加工对象物设定与所述结晶方位平行且相对于所述街道区域的延伸方向倾斜的所述切断预定线。
2.如权利要求1所述的加工对象物切断方法,其特征在于:
所述切断预定线设定工序中,将所述切断预定线设定于在所述街道区域的宽度方向上所述切断预定线落入所述街道区域内的位置。
3.如权利要求1所述的加工对象物切断方法,其特征在于:
所述切断预定线设定工序中,在所述街道区域的宽度方向上所述切断预定线不落入所述街道区域内时,将所述切断预定线设定于从所述街道区域突出的所述切断预定线所交叉的所述功能元件的数目成为规定数以下的位置。
4.如权利要求2所述的加工对象物切断方法,其特征在于:
所述切断预定线设定工序中,在所述街道区域的宽度方向上所述切断预定线不落入所述街道区域内时,将所述切断预定线设定于从所述街道区域突出的所述切断预定线所交叉的所述功能元件的数目成为规定数以下的位置。
5.如权利要求1~4中任一项所述的加工对象物切断方法,其特征在于:
所述结晶方位确定工序具有:
第一工序,对所述加工对象物设定在相互不同的方向上延伸的多个候补线;
第二工序,将激光聚光于所述加工对象物,使得分别沿着多个所述候补线,在所述基板的内部形成改质区域且龟裂从所述改质区域到达所述加工对象物的表面;和
第三工序,根据所述龟裂的状态,确定所述结晶方位。
6.如权利要求1~4中任一项所述的加工对象物切断方法,其特征在于:
所述结晶方位确定工序中,根据形成于所述加工对象物且表示所述结晶方位的基准记号,确定所述结晶方位。
7.如权利要求1~4中任一项所述的加工对象物切断方法,其特征在于:
所述切断工序中,使激光聚光于所述加工对象物的内部,沿着所述切断预定线,在所述加工对象物的内部形成改质区域,将所述改质区域作为切断的起点,沿着所述切断预定线切断所述加工对象物。
8.如权利要求5所述的加工对象物切断方法,其特征在于:
所述切断工序中,使激光聚光于所述加工对象物的内部,沿着所述切断预定线,在所述加工对象物的内部形成改质区域,将所述改质区域作为切断的起点,沿着所述切断预定线切断所述加工对象物。
9.如权利要求6所述的加工对象物切断方法,其特征在于:
所述切断工序中,使激光聚光于所述加工对象物的内部,沿着所述切断预定线,在所述加工对象物的内部形成改质区域,将所述改质区域作为切断的起点,沿着所述切断预定线切断所述加工对象物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造