[发明专利]成膜装置

说明书

本发明提供一种成膜装置，将成膜材料成膜于成膜对象物，该成膜装置具备：真空腔室，容纳所述成膜对象物并进行成膜处理；成膜部，在所述真空腔室内使所述成膜材料的粒子附着于所述成膜对象物；及负离子生成部，在所述真空腔室内生成负离子。

技术领域

本发明涉及一种成膜装置。

背景技术

作为在成膜对象物的表面形成膜的成膜装置，例如已知有一种基于离子镀法的成膜装置，该离子镀法中使已蒸发的成膜材料的粒子向真空腔室内扩散，并使成膜材料的粒子附着于成膜对象物的表面(参考专利文献1)。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-282226号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

在上述以往的成膜装置中，将形成有膜的成膜对象物输出到大气中时，大气中的氧附着于成膜对象物上的膜的表面。如此氧附着于膜时，膜质有可能降低。

更详细而言，例如将形成在成膜对象物上的ZnO膜用作用于检测半导体式氢气传感器的气体的膜时，大气中的氧以O^2-的形式附着于ZnO膜的表面，由此存在氢的检测响应降低的问题。

因此本发明的课题在于提供一种能够抑制成膜对象物上的膜质降低的成膜装置。

用于解决技术课题的手段

为了解决上述问题，本发明的一侧面所涉及的成膜装置为将成膜材料成膜于成膜对象物的成膜装置，该成膜装置的特征在于，具备：真空腔室，容纳成膜对象物并进行成膜处理；成膜部，在真空腔室内使成膜材料的粒子附着于成膜对象物；及负离子生成部，在真空腔室内生成负离子。

本发明的一侧面所涉及的成膜装置中，通过负离子生成部在真空腔室内生成负离子，因此能够使该负离子附着于通过成膜处理形成在成膜对象物上的膜的表面。由此，即使将成膜处理之后的成膜对象物输出到大气中，在形成在成膜对象物上的膜的表面也附着有负离子，因此能够抑制因大气中的氧附着于成膜对象物上的膜的表面而导致的膜质降低。根据以上所述，能够抑制成膜对象物上的膜质降低。

成膜装置中，可以为如下，即负离子生成部具有：等离子枪，在真空腔室内生成等离子体；原料气体供给部，向真空腔室内供给负离子的原料气体；及控制部，将等离子枪控制成间断地生成等离子体。该情况下，等离子体在真空腔室内间断地生成，因此在停止真空腔室内的等离子体的生成时，真空腔室内的等离子体的电子温度急剧下降，且电子容易附着于向真空腔室内供给的负离子的原料气体的粒子上。由此，能够在真空腔室内有效率地生成负离子。其结果，能够使负离子有效地附着于形成在成膜对象物上的膜的表面。根据以上所述，能够可靠地抑制成膜对象物上的膜质降低。

成膜装置中，可以为如下，即负离子生成部还具有切换部，该切换部切换等离子体向真空腔室内的供给与切断，控制部将等离子枪控制成通过对切换部进行切换来间断地生成等离子体。该情况下，能够轻松地仅通过对切换部进行切换来间断地生成等离子体。

成膜装置中，可以为如下，即真空腔室具有输送成膜对象物的输送室和使成膜材料扩散的成膜室，且该成膜装置还具备磁场产生线圈，该磁场产生线圈通过产生磁场来抑制成膜室内的电子流入到输送室，该磁场具有与从成膜室朝向输送室的方向交叉的方向的磁力线。该情况下，能够通过由磁场产生线圈产生的磁场来抑制成膜室内的电子流入到输送室，因此能够在成膜室内更高效地生成负离子。其结果，能够使负离子更有效地附着于形成在成膜对象物上的膜的表面。

成膜装置中，可以为如下，即磁场产生线圈设置在真空腔室内且成膜室与输送室之间。该情况下，能够适宜地产生具有抑制成膜室内的电子流入到输送室的方向的磁力线的磁场。