[发明专利]成膜装置

权利要求书

1.一种成膜装置，将成膜材料成膜于成膜对象物，该成膜装置具备：

真空腔室，容纳所述成膜对象物并进行成膜处理；

成膜部，在所述真空腔室内使所述成膜材料的粒子附着于所述成膜对象物；

负离子生成部，在所述真空腔室内生成负离子；及

控制部，控制所述成膜部的动作及所述负离子生成部的动作，

所述控制部能够切换成膜处理模式和负离子生成模式，所述成膜处理模式指的是，控制所述成膜部的动作来在所述真空腔室内进行所述成膜处理的模式，所述负离子生成模式指的是，不进行所述成膜处理，而是控制所述负离子生成部的动作来在所述真空腔室内生成负离子的模式。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

所述负离子生成部具有：

等离子枪，在所述真空腔室内生成等离子体；及

原料气体供给部，向所述真空腔室内供给所述负离子的原料气体，

所述控制部在所述负离子生成模式时将所述等离子枪控制成间断地生成所述等离子体。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其中，

所述负离子生成部还具有切换部，该切换部切换所述等离子体向所述真空腔室内的供给与切断，

所述控制部在所述负离子生成模式时通过对所述切换部进行切换来将所述等离子枪控制成间断地生成所述等离子体。

4.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其中，

所述真空腔室具有输送所述成膜对象物的输送室和使所述成膜材料扩散的成膜室，

且该成膜装置还具备磁场产生线圈，该磁场产生线圈通过产生磁场来抑制所述成膜室内的电子流入到所述输送室，该磁场具有与从所述成膜室朝向所述输送室的方向交叉的方向的磁力线。

5.根据权利要求4所述的成膜装置，其中，

所述磁场产生线圈设置在所述真空腔室内且所述成膜室与所述输送室之间。

6.根据权利要求2或3所述的成膜装置，其中，

所述成膜部具有等离子枪，且通过离子镀法使所述成膜材料的粒子附着于所述成膜对象物，

所述成膜部的所述等离子枪被兼作为所述负离子生成部的所述等离子枪。

7.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其还具备：电压施加部，对通过所述成膜部进行的成膜处理之后的所述成膜对象物施加正的偏置电压。

8.根据权利要求7所述的成膜装置，其中，

所述负离子生成部在所述真空腔室内间断地生成等离子体，

所述电压施加部在停止通过所述负离子生成部生成等离子体之后对所述成膜对象物施加所述正的偏置电压。

9.根据权利要求7所述的成膜装置，其具备：真空装载锁定腔室，与所述真空腔室相邻配置，并搬入或搬出所述成膜对象物，

所述真空装载锁定腔室从所述真空腔室搬入成膜处理之后的所述成膜对象物，并且在通过所述负离子生成部生成负离子之后将所搬入的所述成膜对象物搬出到所述真空腔室。

10.根据权利要求7所述的成膜装置，其具备：保持部件，保持所述成膜对象物，

在所述真空腔室内，延伸设置有架空线，

在所述保持部件设置有从所述架空线供电的供电部。

11.根据权利要求10所述的成膜装置，其具备：张力赋予部，对所述架空线赋予张力。