[发明专利]减低互连介电阻挡堆叠中陷阱引发的电容的方法

权利要求书

1.一种在基板上形成的互连，包括：

连续的阻挡层，所述连续的阻挡层在所述基板上且由SiOC形成；

过渡层，所述过渡层在所述连续的阻挡层上且由SiCN形成；和

蚀刻停止层，所述蚀刻停止层在所述过渡层上且由AlN形成，其中所述过渡层与接触所述过渡层的底表面的每个层共有第一共同元素，且其中所述过渡层与接触所述过渡层的顶表面的每个层共有第二共同元素，所述第一共同元素不同于所述第二共同元素。

2.如权利要求1所述的互连，其中所述连续的阻挡层由硅基前驱物形成。

3.如权利要求1所述的互连，其中所述蚀刻停止层是由金属介电材料形成。

4.如权利要求1所述的互连，其中所述过渡层和所述连续的阻挡层之间共有的所述第一共同元素形成所述过渡层和所述连续的阻挡层之间的第一共价键，及所述过渡层和所述蚀刻停止层之间共有的所述第二共同元素形成所述过渡层和所述蚀刻停止层之间的第二共价键。

5.如权利要求4所述的互连，其中所述第一共价键和所述第二共价键有助于使所述过渡层与所述蚀刻停止层之间及所述过渡层与所述连续的阻挡层之间的悬挂缺陷饱和。

6.一种在基板上形成互连的方法，所述方法包括以下步骤：

将连续的阻挡层沉积在所述基板上，所述连续的阻挡层由SiOC形成；

在沉积所述连续的阻挡层之后，将过渡层沉积在所述连续的阻挡层上，所述过渡层由SiCN形成；和

在沉积所述过渡层后，将蚀刻停止层沉积在所述过渡层上，所述蚀刻停止层由AlN形成，其中所述过渡层与接触所述过渡层的底表面的每个层共有第一共同元素，且其中所述过渡层与接触所述过渡层的顶表面的每个层共有第二共同元素，所述第一共同元素不同于所述第二共同元素。

7.如权利要求6所述的方法，其中使用硅基前驱物来沉积所述连续的阻挡层。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述蚀刻停止层由金属介电材料形成。

9.如权利要求6所述的方法，其中所述过渡层经构造以降低所述连续的阻挡层和所述蚀刻停止层之间的边缘电容。

10.如权利要求6所述的方法，其中所述过渡层和所述连续的阻挡层之间共有的所述第一共同元素形成所述过渡层和所述连续的阻挡层之间的第一共价键，及所述过渡层和所述蚀刻停止层之间共有的所述第二共同元素形成所述过渡层和所述蚀刻停止层之间的第二共价键。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述第一共价键和所述第二共价键有助于使所述过渡层与所述蚀刻停止层之间及所述过渡层与所述连续的阻挡层之间的悬挂缺陷饱和。