[发明专利]用于配电的导电密封环

权利要求书

1.一种多块半导体器件，包括：

半导体管芯，具有第一块和第二块，所述第一块和所述第二块以彼此不同的功率状态操作，其中所述管芯包括：

基底；以及

绝缘层；以及

在所述绝缘层上的密封环，所述密封环围绕所述管芯的周边并且气密地密封所述第一块和所述第二块，其中所述密封环用作所述第一块而不是所述第二块的电源总线；

其中所述密封环和所述第一块电耦合到第一接地节点，所述第一接地节点在管芯级别上与所述多块半导体器件中的其他接地节点电隔离；

其中所述第二块位于所述管芯的中央区域中，并且所述第一块至少部分包围所述第二块，并且其中所述第一块被放置在所述密封环与所述第二块的至少两侧之间；并且

其中所述多块半导体器件中的所述第一接地节点和所述其他接地节点在模块级别上共享公共接地。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一块通过围绕所述第二块形成U形而至少部分包围所述第二块。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述密封环包括一个或多个金属层的堆叠。

4.根据权利要求3所述的器件，其中所述密封环包括所述金属层之间的通孔。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述密封环具有10微米或更大的横截面宽度。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一块包括射频电路。

7.根据权利要求1所述的器件，还包括围绕所述半导体管芯的周边的金属接触垫，其中多条金属线散布在所述金属接触垫之间。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体管芯被封装在倒装芯片封装件中。

9.根据权利要求1所述的器件，其中所述密封环被配置为向所述第一块提供静电放电保护。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述密封环包括多个金属层的堆叠以及所述金属层中的顶部金属层上方的氮化硅层。

11.一种多块半导体器件，包括：

半导体管芯，具有第一块和第二块，所述第一块和所述第二块以彼此不同的功率状态操作，所述第二块位于所述管芯的中央区域中，其中所述管芯包括：

基底；以及

绝缘层；

密封环，围绕所述管芯的周边并且气密地密封所述第一块和所述第二块，所述密封环在所述绝缘层上，其中所述密封环用作所述第一块而不是所述第二块的电源总线；以及

多条金属线，将所述密封环电连接到所述第一块，所述多条金属线围绕所述半导体管芯的大部分周边而均匀地间隔开；

其中所述密封环和所述第一块电耦合到第一接地节点，所述第一接地节点在管芯级别上与所述多块半导体器件中的其他接地节点电隔离；

其中所述第一块至少部分包围所述第二块，并且其中所述第一块被放置在所述密封环与所述第二块的至少两侧之间；并且

其中所述多块半导体器件中的所述第一接地节点和所述其他接地节点在模块级别上共享公共接地。

12.根据权利要求11所述的器件，其中所述第一块通过围绕所述第二块形成U形而至少部分包围所述第二块。

13.根据权利要求11所述的器件，其中所述第一块包括射频电路。

14.根据权利要求11所述的器件，还包括围绕所述半导体管芯的周边的金属接触垫，其中所述多条金属线散布在所述金属接触垫之间。

15.根据权利要求11所述的器件，其中所述半导体管芯被封装在倒装芯片封装件中。

16.根据权利要求11所述的器件，其中所述密封环被配置为向所述第一块提供静电放电保护。

17.根据权利要求11所述的器件，其中所述密封环包括多个金属层的堆叠以及所述金属层中的顶部金属层上方的氮化硅层。