[发明专利]独立3D堆叠

权利要求书

1.一种封装，包括：

再分配层RDL；

位于所述RDL上的第一封装级的前侧，所述第一封装级包括：

第一级管芯，所述第一级管芯封装于所述RDL上的间隙填充氧化物层中；以及

多个过氧化物通孔TOV，所述多个过氧化物通孔通过所述间隙填充氧化物层延伸；

其中所述TOV和所述第一级管芯具有20微米或更小的高度；以及

第二封装级，所述的第二封装级包括混合键合到所述第一封装级的后侧的第二级管芯，所述混合键合包括直接键合的氧化物-氧化物表面和直接键合的金属-金属表面。

2.根据权利要求1所述的封装，其中所述第一封装级包括位于所述第一级管芯的后侧和所述间隙填充氧化物层上的第一封装级RDL，并且所述多个TOV提供所述RDL和所述第一封装级RDL之间的电连接。

3.根据权利要求2所述的封装，其中所述第二级管芯被混合键合到所述第一封装级RDL的平坦化后表面。

4.根据权利要求3所述的封装，其中所述第一封装级RDL包括氧化物介质层和金属再分配线，并且所述第二级管芯被混合键合到所述氧化物介质层和所述金属再分配线。

5.根据权利要求2所述的封装，其中所述第一级管芯包括多个过硅通孔TSV，并且所述第一封装级RDL形成于所述多个TSV上并与之电接触。

6.根据权利要求1所述的封装，其中所述RDL形成于所述第一级管芯的前侧和所述多个TOV上并与它们电接触。

7.根据权利要求1所述的封装，其中所述第二级管芯被封装于所述第一封装级上的模制化合物中。

8.根据权利要求1所述的封装，还包括：

第二排TOV；

其中所述多个TOV包括第一排TOV，并且所述第一排TOV和第二排TOV与所述第一级管芯的第一对横向相对侧在横向上相邻；

第二-第一级管芯和第三-第一级管芯，所述第二-第一级管芯和第三-第一级管芯与所述第一级管芯的第二对横向相对侧在横向上相邻；

其中所述RDL形成于所述第一级管芯的前侧、所述第二-第一级管芯的前侧、所述第三-第一级管芯的前侧、所述第一排TOV和所述第二排TOV上并与之电接触。

9.根据权利要求8所述的封装，还包括所述第一级管芯之内的多个TSV，其中每个TSV具有10μm或更小的最大宽度。

10.一种封装，包括：

再分配层RDL；

位于所述RDL后侧上的第一封装级的前侧，所述第一封装级包括：

第一级管芯，所述第一级管芯封装于所述RDL所述后侧上的间隙填充氧化物层中；

第一排过氧化物通孔TOV，所述第一排过氧化物通孔从所述RDL的所述后侧突出；

第二排过氧化物通孔TOV，所述第二排过氧化物通孔从所述RDL的所述后侧突出；

其中所述第一级管芯在横向上位于所述第一排TOV和第二排TOV之间；以及

多个第二级管芯，所述多个第二级管芯混合键合到所述第一封装级的后侧，所述混合键合包括直接键合的氧化物-氧化物表面和直接键合的金属-金属表面。

11.根据权利要求10所述的封装，其中所述第一封装级包括位于所述第一级管芯的后侧和所述间隙填充氧化物层上的第一封装级RDL，并且所述多个TOV提供所述RDL和所述第一封装级RDL之间的电连接。

12.根据权利要求11所述的封装，其中所述第一封装级RDL包括氧化物介质层和金属再分配线，并且所述第二级管芯被混合键合到所述氧化物介质层和所述金属再分配线。