[发明专利]发光器件封装件

权利要求书

1.一种发光器件封装件，包括：

第一引线框架和第二引线框架；

绝缘层，所述绝缘层被布置在所述第一引线框架和所述第二引线框架之间以使所述第一引线框架和所述第二引线框架彼此电绝缘；

封装件本体，所述封装件本体具有使所述第二引线框架的一部分暴露的腔体，其中所述腔体包括相对于所述第二引线框架的前表面倾斜的倾斜表面；

发光器件，所述发光器件被布置在所述第二引线框架的暴露的前表面上并且具有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极被电连接到相应的所述第一引线框架和所述第二引线框架；

齐纳二极管，所述齐纳二极管被布置在所述第一引线框架上，其中所述封装件本体包括被布置在所述齐纳二极管和所述发光器件之间的第一部分；以及

至少一个电线，所述至少一个电线被构造成将所述第一引线框架或所述第二引线框架中的至少一个引线框架的所述暴露的前表面电连接至所述发光器件或所述齐纳二极管中的至少一个，所述至少一个电线包括第三电线，所述第三电线具有被连接到所述齐纳二极管的一端和被连接到所述第二引线框架的暴露部分的剩余端，

其中，所述第一引线框架或所述第二引线框架中的至少一个引线框架的所述暴露的前表面包括被连接到所述至少一个电线的至少一个结合区域，

其中，所述齐纳二极管被布置在所述腔体的所述倾斜表面中的孔中，

其中，所述第三电线被布置在所述封装件本体的所述第一部分上，并且

其中，所述倾斜表面具有比所述第二引线框架的所述暴露的前表面的反射率高的反射率。

2.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述至少一个电线包括第一电线，所述第一电线具有被电连接到所述发光器件的一端和被电连接到所述第一引线框架的剩余端。

3.根据权利要求2所述的封装件，其中，所述至少一个电线包括第二电线，所述第二电线具有被电连接到所述发光器件的一端和被电连接到所述第二引线框架的剩余端。

4.根据权利要求2所述的封装件，其中，所述发光器件的所述第二电极被直接地电连接到所述第二引线框架。

5.根据权利要求3所述的封装件，其中，所述第二引线框架的暴露的前表面包括第一器件区域，所述发光器件被布置在所述第一器件区域中。

6.根据权利要求5所述的封装件，其中，所述至少一个结合区域包括第一结合区域，所述第一结合区域被电连接到所述第二电线的所述剩余端并且在所述第二引线框架的暴露的前表面处靠近所述第一器件区域。

7.根据权利要求6所述的封装件，其中，所述封装件本体包括第一凹槽，所述第一凹槽被构造成暴露所述第一结合区域。

8.根据权利要求2所述的封装件，其中，所述至少一个结合区域包括第二结合区域，所述第二结合区域不被所述封装件本体覆盖并且是暴露的，并且所述第二结合区域在所述第一引线框架处被连接到所述第一电线的所述剩余端。

9.根据权利要求8所述的封装件，其中，所述封装件本体包括第二凹槽，所述第二凹槽被构造成暴露所述第二结合区域。

10.根据权利要求8所述的封装件，其中，所述封装件本体包括第一盲孔，所述第一盲孔被构造成暴露所述第二结合区域。

11.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述封装件本体的所述腔体由所述第二引线框架的所述暴露的前表面一起限定，

其中，所述倾斜表面反射从所述发光器件发射的光，并且所述倾斜表面的下端与被布置在所述腔体的底表面上的所述发光器件间隔开预定距离，

其中，所述第一部分具有比所述齐纳二极管的厚度或者所述发光器件的厚度大的厚度，并且

其中，所述预定距离是30μm，并且所述封装件本体的所述第一部分的所述厚度大于50μm并且等于或小于200μm。