[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201680041214.0 | 申请日: | 2016-07-04 |
公开(公告)号: | CN107851631B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 好田慎一;木村润一;臼井良辅;小仓智英;渡边厚司 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/36;H05K7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
具有安装在金属层的所述半导体元件、设置在半导体元件的第一~第三连接端子、与所述第一连接端子接合的第一汇流条、以及与所述第二连接端子接合的第二汇流条。所述半导体元件与金属层接合,在所述半导体元件的上表面配置所述第一~第三连接端子。所述第一汇流条的一端与所述第一连接端子接合,所述第一汇流条的另一端是输出部,所述第二汇流条的一端与所述第二连接端子接合,所述第二汇流条的另一端与所述金属层接合。所述半导体元件的所述第一面与所述第二汇流条是相同电位。
技术领域
本公开涉及使用于各种电子设备的半导体装置。
背景技术
以下,使用附图对以往的半导体装置进行说明。图5是示出以往的半导体装置的结构的侧视图,在底板1隔着绝缘层2设置有散热片3。在底板1的上表面设置有绝缘体4、绝缘体5。另外,散热片3位于绝缘层2的下方。在绝缘体4的上方设置有汇流条6。进而,在汇流条6的上方安装有半导体元件7。此外,在半导体元件7的上表面连接汇流条8的一个端部。而且,汇流条8从与半导体元件7的接合部分延伸,汇流条8的另一个端部(端部9)向绝缘体5密接配置。汇流条8的端部9与汇流条6的端部10承担作为向外部的连接端子的功能。
另外,作为与本申请的公开相关联的在先技术文献,例如,已知有专利文献1。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-243157号公报
发明内容
本公开的半导体装置具有:作为导电体的金属层;半导体元件,安装在所述金属层的第一面;第一连接端子,设置在所述半导体元件;第二连接端子,设置在所述半导体元件;第三连接端子,设置在所述半导体元件;第一汇流条,与所述第一连接端子接合;以及第二汇流条,与所述第二连接端子接合。所述半导体元件的第一面与所述金属层的所述第一面接合,在所述半导体元件的第二面配置所述第一连接端子、所述第二连接端子以及所述第三连接端子,所述第一汇流条的一端与所述第一连接端子接合,所述第一汇流条的另一端是输出部,所述第二汇流条的一端与所述第二连接端子接合,所述第二汇流条的另一端与所述金属层接合,所述半导体元件的所述第一面与所述第二汇流条是相同电位。
附图说明
图1是示出本公开的实施方式1中的半导体装置的结构的侧视图。
图2是示出本公开的实施方式1中的半导体装置的结构的俯视图。
图3是示出本公开的实施方式2中的半导体装置的结构的侧视图。
图4是示出本公开的实施方式3中的半导体装置的结构的另一个侧视图。
图5是以往的半导体装置的侧视图。
具体实施方式
在对本公开的实施方式进行说明之前,对以往的半导体装置中的问题进行简单说明。
在参照图5说明的以往的半导体装置中,由于半导体元件7动作而产生的热经由汇流条6和绝缘体4或经由汇流条8和绝缘体5传递到底板1。然而,从半导体元件7向底板1的传热性由于存在绝缘体4、绝缘体5而下降。其结果是,在以往的半导体装置中,具有半导体元件7的散热有可能变得不充分这样的课题。
以下,使用附图对本公开的实施方式进行说明。
另外,在本公开中为了使说明容易理解,使用“上表面”、“下表面”、“上方”、“下方”等表示方向的术语进行说明,但是关于“上表面”、“下表面”、“上方”、“下方”等表示方向的术语,只是表示相对的位置关系,并不限定于此。
(实施方式1)
图1是示出本公开的实施方式1中的半导体装置的结构的侧视图。半导体装置11具有金属层14、半导体元件15、汇流条16以及汇流条17。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下知识产权经营株式会社,未经松下知识产权经营株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680041214.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。