[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201680041214.0 | 申请日: | 2016-07-04 |
公开(公告)号: | CN107851631B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 好田慎一;木村润一;臼井良辅;小仓智英;渡边厚司 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/36;H05K7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,具备:
作为导电体的金属层;
半导体元件,安装在所述金属层的第一面;
第一连接端子,其设置在所述半导体元件;
第二连接端子,其设置在所述半导体元件;
第三连接端子,其设置在所述半导体元件;
第一汇流条,其一端与所述第一连接端子接合;以及
第二汇流条,其与所述第一汇流条的通电方向上的截面积相比具有较大的通电方向上的截面积,并且一端与所述第二连接端子接合,
所述半导体元件的第一面与所述金属层的所述第一面接合,
在所述半导体元件的与所述第一面相反的面即第二面配置所述第一连接端子、所述第二连接端子以及所述第三连接端子,
所述第一汇流条的另一端是向外部的器件连接的输出部,
所述第二汇流条的另一端与所述金属层接合,
所述半导体元件的所述第一面与所述第二汇流条是相同电位。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,还具备:
绝缘层,其设置在所述金属层的第二面;以及
散热体,其在所述绝缘层,
所述绝缘层的第一面与金属层相接,
所述绝缘层的第二面与散热体相接。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,所述半导体元件由氮化镓系晶体管构成,
所述第一连接端子是漏极端子,
所述第二连接端子是源极端子,
所述第三连接端子是栅极端子。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,所述金属层是形成了布线图案的引线框。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,所述第二汇流条通过连接分别呈直线状延伸的多个导体而形成。
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