[发明专利]光刻设备中的图形化装置冷却系统有效

专利信息
申请号: 201680041170.1 申请日: 2016-06-17
公开(公告)号: CN107949810B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: L·J·A·范博克霍温;C·C·瓦尔德;M·L·范德加格;J·G·C·库南 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光刻 设备 中的 图形 化装 冷却系统
【说明书】:

一种光刻设备(100)包括被配置用于支撑图形化装置(110)的图形化装置支撑结构(104),被配置用于提供跨图形化装置的表面的气流(114)的气体入口(116),以及被配置用于基于设定点调节气流温度的温度调节装置(134)。设备也包括被配置用于在光刻系统的操作使用期间测量指示了添加至图形化装置以及图形化装置和投影系统(106)透镜(124)之间空间(126)的热量的参数的传感器(132)。进一步,设备包括可操作地耦合至传感器并且被配置用于基于由传感器测得参数调节设定点以控制图形化装置温度的控制器(130)。

相关申请的交叉引用

本申请要求享有2015年7月14日提交的美国申请No.62/192,347的优先权,该申请在此通过全文引用的方式并入本文。

技术领域

本公开涉及一种用于通过跨物体的表面流动气体来控制物体的温度的系统和方法,该物体例如是光刻设备中的图形化装置。

背景技术

光刻设备是施加所需图形至衬底上、通常施加至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以例如用于制造集成电路(IC)。在该情形中,图形化装置例如掩模或刻线板可以产生将要形成在IC的单个层上的电路图形。该图形可以转移至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或数个裸片的一部分)上。图形的转移通常是经由成像至提供在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。通常,单个衬底将包含陆续图形化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括其中通过一次曝光整个图形至目标部分上而照射每个目标部分的所谓的步进机,以及其中通过沿给定方向(“扫描”方向)扫描图形穿过辐射束而同时平行于或反平行于该方向扫描衬底而照射每个目标部分的所谓扫描机。也能够通过将图形压印至衬底上而将图形从图形化装置转移至衬底。

在光刻设备中,辐射束可以在图形化装置中引起热效应(例如热膨胀)。图形化装置可以包括对于辐射(例如深紫外辐射)基本上透明的基底材料(例如熔融石英),并且可以包括由基本上非透明材料(例如铬)制成的图形。热效应可以是由于由图形化装置的非透明部分吸收辐射束,并且可以引起例如形成在衬底上的图形中的对准误差和/或重叠误差。辐射束或来自被加热图形化装置的对流也可以加热在图形化装置与邻近透镜元件之间的空气。在图形化装置和透镜元件之间该被加热的空气可以引起图形失真(诸如重叠误差)。为了校正由于图形化装置的热膨胀和/或图形化装置与透镜元件之间空气的加热引起的这些误差,当前的光刻设备可以依赖于校正系统。例如,该校正系统可以包括刻线板或晶片对准系统,放大校正系统,用于膨胀预测的前馈系统,透镜校正系统,或者其组合。然而,随着朝向器件尺寸等比缩减的持续趋势,这些校正系统无法提供对于这些缩减器件的研发所需的对准和/或重叠精确度的所需水平。

发明内容

因此,在一些实施例中,一种系统和方法控制了光刻设备中图形化装置的温度。

在一些实施例中,光刻设备包括被配置用于支撑图形化装置的图形化装置支撑结构,被配置用于提供跨图形化装置的表面的气流的气体入口,以及被配置用于基于设定点调节气流温度的温度调节装置。设备也包括至少一个传感器,被配置用于在光刻系统的操作使用期间测量指示被添加至图形化装置的热量以及在图形化装置和投影系统的透镜之间体积的参数。进一步,设备包括可操作地耦合至至少一个传感器并且被配置用于基于由传感器测得参数而调节设定点以控制图形化装置温度的控制器。在一些实施例中,由传感器测得参数指示图形化装置的形状。在一些实施例中,传感器被配置用于测量在图形化装置和投影系统透镜之间体积中流体的温度。在一些实施例中,传感器被配置用于测量图形化装置的一部分的温度。

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