[发明专利]宽电压范围低压差调节器有效
申请号: | 201680040892.5 | 申请日: | 2016-06-13 |
公开(公告)号: | CN107850910B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | V·F·佩卢索;沈梁国;关华;杜萌萌;何艾阳 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/565 | 分类号: | G05F1/565 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;崔卿虎 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 范围 低压 调节器 | ||
在一个实施例中,本公开包括一种低压差调节器电路,其包括响应于传输晶体管的栅极上的栅极电压而在输出端子上提供输出电压的传输晶体管。反馈电路耦合到输出端子以生成反馈电压,并且误差放大器响应于参考电压和反馈电压而提供驱动信号。第一栅极驱动器电路在第一电压范围上可操作以响应于驱动信号而向传输晶体管提供栅极电压。第二栅极驱动器电路在第二电压范围上可操作以响应于驱动信号而向传输晶体管提供栅极电压,其中第二电压范围低于第一电压范围。
本申请要求于2015年7月15日提交的美国申请No.14/800,375的优先权,其内容为了所有目的通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及电子电路,并且具体地涉及宽电压范围低压差调节器。
背景技术
除非在本文中另有指示,否则本部分中描述的方法不被认为是通过包括在本部分中而成为现有技术。
NMOS低压差(LDO)调节器具有可编程的期望输出电压Vset。但是,对于某些期望输出电压,如果LDO的输出上没有负载或具有轻负载,则LDO的实际输出电压Vout可能向上浮动并且LDO失去调节。较低的期望输出电压Vset通常用于睡眠模式,在此期间,LDO的静态电流对于保持电池寿命可能是重要的。输出电压Vout的向上浮动可能导致大的漏电流或负载中的过应力。
发明内容
本公开包括涉及宽电压范围低压差调节器的技术。在一个实施例中,本公开包括一种低压差调节器电路,其包括响应于传输晶体管的栅极上的栅极电压而在输出端子上提供输出电压的传输晶体管;耦合到输出端子以生成反馈电压的反馈电路;包括用于响应于参考电压和反馈电压而提供驱动信号的输出的误差放大器;在第一电压范围上可操作以响应于驱动信号而向传输晶体管提供栅极电压的第一栅极驱动器电路;以及在第二电压范围上可操作以响应于驱动信号而向传输晶体管提供栅极电压的第二栅极驱动器电路,其中第二电压范围低于第一电压范围。
在一个实施例中,第一栅极驱动器电路包括源极跟随器和电流反馈缓冲器,并且第二栅极驱动器电路是差分对缓冲器。
在一个实施例中,电流反馈缓冲器包括具有耦合到源极跟随器的源极的栅极的场效应晶体管,电流反馈缓冲器包括具有耦合到场效应晶体管的漏极的基极和耦合到由传输晶体管的栅极和场效应晶体管的源极形成的节点的集电极的双极结型晶体管。
在一个实施例中,源极跟随器包括第一场效应晶体管,并且电流反馈缓冲器包括具有耦合到第一场效应晶体管的源极的栅极并且具有耦合到传输晶体管的栅极的源极的第二场效应晶体管。
在一个实施例中,电流反馈缓冲器包括具有耦合到第二场效应晶体管的漏极的基极和耦合到传输晶体管的栅极的集电极的双极结型晶体管,电流反馈缓冲器包括耦合在双极结型晶体管的基极与双极结型晶体管的发射极之间的电流源。
在一个实施例中,差分对缓冲器包括:具有栅极、源极和漏极的第一晶体管,其中第一晶体管的栅极被配置为接收驱动信号;以及具有栅极、源极和漏极的第二晶体管,其中第二晶体管的漏极耦合到传输晶体管的栅极。
在一个实施例中,该电路还包括耦合到第一晶体管的源极和第二晶体管的源极的偏置电流源、具有耦合到第一晶体管的漏极的漏极的第三晶体管、和具有耦合到第二晶体管的漏极的漏极的第四晶体管。
在一个实施例中,第一栅极驱动器电路包括第一电流反馈缓冲器,并且第二栅极驱动器电路包括并联耦合到第一电流反馈缓冲器的第二电流反馈缓冲器。
在一个实施例中,第一电流反馈缓冲器和第二电流反馈缓冲器具有相等的输出阻抗。
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