[发明专利]宽电压范围低压差调节器有效
申请号: | 201680040892.5 | 申请日: | 2016-06-13 |
公开(公告)号: | CN107850910B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | V·F·佩卢索;沈梁国;关华;杜萌萌;何艾阳 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/565 | 分类号: | G05F1/565 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;崔卿虎 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 范围 低压 调节器 | ||
1.一种低压差调节器,包括:
传输晶体管,响应于所述传输晶体管的栅极上的栅极电压而在输出端子上提供输出电压;
反馈电路,耦合到所述输出端子以生成反馈电压;
误差放大器,包括用于响应于参考电压和所述反馈电压而提供驱动信号的输出;
第一栅极驱动器电路,在第一电压范围上可操作以响应于所述驱动信号而向所述传输晶体管提供所述栅极电压;
第二栅极驱动器电路,在第二电压范围上可操作以响应于所述驱动信号而向所述传输晶体管提供所述栅极电压,其中所述第二电压范围中的每个电压水平低于所述第一电压范围中的每个电压水平;以及
电流导引电路,用于当所述输出电压处于所述第一电压范围时向所述第一栅极驱动器电路提供偏置电流,并且当所述输出电压处于所述第二电压范围时向所述第二栅极驱动器电路提供偏置电流。
2.根据权利要求1所述的低压差调节器,其中所述电流导引电路在所述第一电压范围上向所述第一栅极驱动器电路而不是向所述第二栅极驱动器电路提供偏置电流,并且所述电流导引电路在所述第二电压范围上向所述第二栅极驱动器电路而不是向所述第一栅极驱动器电路提供偏置电流。
3.一种低压差调节器,包括:
传输晶体管,响应于所述传输晶体管的栅极上的栅极电压而在输出端子上提供输出电压;
反馈电路,耦合到所述输出端子以生成反馈电压;
误差放大器,包括用于响应于参考电压和所述反馈电压而提供驱动信号的输出;
第一栅极驱动器电路,在第一电压范围上可操作以响应于所述驱动信号而向所述传输晶体管提供所述栅极电压;以及
第二栅极驱动器电路,在第二电压范围上可操作以响应于所述驱动信号而向所述传输晶体管提供所述栅极电压,其中所述第二电压范围中的每个电压水平低于所述第一电压范围中的每个电压水平,
其中所述第一栅极驱动器电路包括源极跟随器和电流反馈缓冲器,并且所述第二栅极驱动器电路是差分对缓冲器。
4.根据权利要求3所述的低压差调节器,其中所述电流反馈缓冲器包括场效应晶体管,所述场效应晶体管具有与所述源极跟随器的源极耦合的栅极,所述电流反馈缓冲器包括双极结型晶体管,所述双极结型晶体管具有与所述场效应晶体管的漏极耦合的基极和与由所述传输晶体管的栅极和所述场效应晶体管的源极形成的节点耦合的集电极。
5.根据权利要求3所述的低压差调节器,其中所述源极跟随器包括第一场效应晶体管,并且所述电流反馈缓冲器包括具有与所述第一场效应晶体管的源极耦合的栅极并且具有与所述传输晶体管的栅极耦合的源极的第二场效应晶体管。
6.根据权利要求5所述的低压差调节器,其中所述电流反馈缓冲器包括双极结型晶体管,所述双极结型晶体管具有与所述第二场效应晶体管的漏极耦合的基极和与所述传输晶体管的栅极耦合的集电极,所述电流反馈缓冲器包括电流源,所述电流源耦合在所述双极结型晶体管的基极与所述双极结型晶体管的发射极之间。
7.根据权利要求3所述的低压差调节器,其中所述差分对缓冲器包括:
具有栅极、源极和漏极的第一晶体管,其中所述第一晶体管的栅极被配置为接收所述驱动信号;以及
具有栅极、源极和漏极的第二晶体管,其中所述第二晶体管的漏极耦合到所述传输晶体管的栅极。
8.根据权利要求7所述的低压差调节器,还包括:
偏置电流源,耦合到所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极;
第三晶体管,具有与所述第一晶体管的漏极耦合的漏极;以及
第四晶体管,具有与所述第二晶体管的漏极耦合的漏极。
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