[发明专利]有源矩阵基板、显示装置以及显示装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有源矩阵基板、显示装置以及显示装置的制造方法。

背景技术

在显示装置中，存在有具备在基板上以矩阵状配置了薄膜晶体管的有源矩阵基板者。近年来，作为薄膜晶体管，使用具备高迁移率且漏电电流较低等的特征的氧化物半导体。例如，需要高清晰的液晶显示器、以电流驱动而薄膜晶体管的负荷大的有机EL显示器、以及需要以高速使快门运作的MEMS显示器(Micro Electro Mechanical System Display)等，利用范围较广。

MEMS显示器是使用机械式(Mechanical)快门的显示装置，例如，下述专利文献1公开有透射型的MEMS显示器。该MEMS显示器中，在具备薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下，也称为TFT。)的第一基板，由MEMS构成的多个快门部与像素对应地以矩阵状排列。在层积于第二基板的第一基板侧的膜设置有与像素对应地以矩阵状排列的多个开口部。通过快门部移动，从而开闭开口部，使光从背光源单元朝显示面透射过或将光隔断。

现有技术文献

专利文件

专利文献1：日本特开2013-50720号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

在MEMS显示器中，通常在构成栅极线等、栅极电极等的导电膜的基板侧(显示视认侧)的表面设置有遮光膜。在未设置遮光膜的情况下，从显示视认侧侵入显示装置内的外部光在反射率较高的导电膜的显示视认侧表面反射，由此产生对比度降低等问题。因此，设置遮光膜来抑制对比度降低的问题。

为了在遮光区域形成遮光膜，可以考虑在基板上使遮光膜成膜后，去除使光透射过的区域的遮光膜，并为了使去除了遮光膜的区域的平坦化而使透光膜成膜的方法。但是，在该方法中，需要将使光透射过的区域的遮光膜去除的工序、以及为了平坦化而使透光膜成膜的工序，从而制造工序数目变多。

另外，具有在遮光膜的上层形成使用了高的制程温度并且容易受到杂质等影响的氧化物半导体的薄膜晶体管的工序，需要可承受所述工序的材料因此需要非常高价的材料，从而大幅增加有源矩阵基板、以及具备有源矩阵基板的显示装置的成本。

另外，为了使氧化物半导体的晶体管特性稳定，也可以在氧化物半导体层的形成后以400℃以上的温度例如进行一个小时左右高温退火处理(以下，将400℃以上的退火处理称为高温退火处理)。在将非晶硅用作薄膜晶体管的情况下，有源矩阵基板的形成过程中的最高温度最高不过300℃～330℃(形成氮化硅、或非晶硅时的温度)，但在使用了氧化物半导体的有源矩阵基板的形成过程中，该高温退火处理的温度成为最高温度。再者，由于以一个小时等的较长时间进行高温退火处理，产生线有的形成有源矩阵基板时未出现的问题。例如，遮光膜的剥离、裂缝等的问题。

本发明目的在于，提供一种减少包含形成遮光膜的工序的有源矩阵基板的制造工序数目的技术。

解决问题的手段

本发明的一实施方式的有源矩阵基板具有：形成有使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的绝缘基板，其中，所述有源矩阵基板具备：遮光膜，其被着色并形成于所述绝缘基板上的所述遮光区域，所述遮光膜在透明的母材含有碳颗粒；无机膜，其形成在所述遮光膜上；透光膜，其形成于所述绝缘基板的所述透光区域，并在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒；栅极线，其设置于所述无机膜上；栅极绝缘膜，其设置于所述栅极线上；薄膜晶体管，其以矩阵状设置于所述栅极绝缘膜上；以及数据线，其在所述遮光膜上以与所述栅极线交叉的方式设置，并与所述薄膜晶体管电连接。

发明效果

根据本实施方式的公开，在绝缘基板上使遮光膜成膜后，不需要去除使光透射过的区域的遮光膜的工序、以及为了使将遮光膜去除的区域平坦化而使透光膜成膜的工序，因此可以可以减少有源矩阵基板的制造工序数目。

附图说明

图1是表示一实施方式的显示装置的构成成例的立体图。

图2是显示装置的一部分的区域的等效电路图。

图3是表示一个像素中的快门机构的详细的构成成例的立体图。

图4是快门机构的俯视图。

图5是图4的沿V-V线的剖面图。

图6是快门机构的俯视图。

图7是图6的沿VII-VII线的剖面图。

图8是第一基板的剖面图。

图9是表示遮光膜的俯视图。

图10是表示遮光膜的周缘部的剖面图。

图11是用以说明第一基板的制造方法的图。