[发明专利]有源矩阵基板、显示装置以及显示装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201680040399.3 申请日: 2016-07-07
公开(公告)号: CN107851407A 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 冈部达;锦博彦;原猛;小坂知裕;石田和泉;村重正悟 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;G02F1/1333;G02F1/1335;G02F1/1368;G09F9/00;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/10
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 代理人: 汪飞亚,习冬梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有源 矩阵 显示装置 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有源矩阵基板,形成有使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的绝缘基板,其特征在于,具备:

遮光膜,形成于所述绝缘基板上的所述遮光区域,所述遮光膜在透明的母材含有碳颗粒,且被着色;

无机膜,形成于所述遮光膜上;

透光膜,形成于所述绝缘基板的所述透光区域,并在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒;

栅极线,设置于所述无机膜上;

栅极绝缘膜,设置于所述栅极线上;

薄膜晶体管,以矩阵状设置于所述栅极绝缘膜上;以及

数据线,在所述遮光膜上以与所述栅极线交叉的方式设置,并与所述薄膜晶体管电连接。

2.如权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于,所述透光膜在从所述有源矩阵基板的水平方向观看时仅形成于所述遮光膜之间。

3.如权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于,所述透光膜,含有在透明的母材碳颗粒的着色的遮光膜中的母材所述碳颗粒被氧化而透明化的膜。

4.如权利要求1至3中任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于,所述遮光膜,在所述显示区域的外周缘部中,其终端相对于所述基板而形成斜面,该斜面与所述基板之间的所成的角为3~10度。

5.如权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于,在从所述有源矩阵基板的垂直方向观看时,在所述遮光区域形成有所述无机膜。

6.如权利要求1至5中任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括氧化物半导体。

7.一种显示装置,其特征在于,具备如权利要求1至6中任一项所述的有源矩阵基板。

8.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还具备:

快门机构,形成于较所述无机膜接近上层;以及

背光源,以夹着所述快门机构与所述基板对向的方式配置;

所述显示装置,其所述透光区域,以经由所述快门机构的开口使来自所述背光源的光透射过的方式形成。

9.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置是MEMS显示器。

10.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置为有机电致发光显示器。

11.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置为液晶显示器。

12.一种显示装置的制造方法,具有在显示图像的显示区域形成使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的基板,其特征在于,

在所述基板上形成在透明的母材含有碳颗粒的着色的暗色膜;

在所述暗色膜上的区域中的应成为所述遮光区域的区域,形成无机膜;

通过使所述暗色膜中的未形成所述无机膜的区域中的碳颗粒氧化而透明化。

13.如权利要求12所述的显示装置的制造方法,其特征在于,在应成为所述遮光区域的区域形成所述无机膜后,以400℃以上烧制所述暗色膜,而使所述暗色膜中的未形成所述无机膜的区域中的碳颗粒氧化。

14.如权利要求13所述的显示装置的制造方法,其特征在于,

所述透明的母材,是熔点高于烧制所述暗色膜的温度的树脂或SOG材料。

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