[发明专利]导热性组合物、半导体装置、半导体装置的制造方法和散热板的粘合方法有效
| 申请号: | 201680039984.1 | 申请日: | 2016-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN107849432B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
| 发明(设计)人: | 下边安雄;村山龙一;斋藤敬一郎 | 申请(专利权)人: | 住友电木株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;C09K5/14;C08L33/04;C08L101/00;C09J4/00;C09J4/02;C09J5/06;C09J9/00;H01L23/36;H01L23/373;H01L23/40 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;程采 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导热性 组合 半导体 装置 制造 方法 散热 粘合 | ||
1.一种导热性组合物,其特征在于,包含:
金属颗粒(A);和
使所述金属颗粒(A)分散的分散介质(B),
所述金属颗粒(A)通过热处理发生烧结而形成颗粒连结结构,
所述金属颗粒(A)的体积基准的累积分布中的累积50%时的粒径D50为1μm以上4μm以下,
所述金属颗粒(A)的粒径的标准偏差为2.0μm以下,
所述分散介质(B)包含选自分子内仅具有一个自由基聚合性双键的化合物和分子内仅具有一个环氧基的化合物中的一种或两种以上,并且不包含分子内具有两个以上自由基聚合性双键的化合物和分子内具有两个以上环氧基的化合物。
2.根据权利要求1所述的导热性组合物,其特征在于:
所述金属颗粒(A)的粒径的标准偏差除以所述金属颗粒(A)的体积基准的累积分布中的累积50%时的粒径D50所得到的值为2.5以下。
3.根据权利要求1或2所述的导热性组合物,其特征在于:
所述金属颗粒(A)的体积基准的累积分布中的累积95%时的粒径D95为10μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的导热性组合物,其特征在于:
所述金属颗粒(A)的体积基准的累积分布中的累积5%时的粒径D5为0.6μm以上。
5.根据权利要求1或2所述的导热性组合物,其特征在于:
所述金属颗粒(A)的体积基准的累积分布中的累积95%时的粒径D95与所述金属颗粒(A)的体积基准的累积分布中的累积50%时的粒径D50的差值为5μm以下。
6.根据权利要求1或2所述的导热性组合物,其特征在于:
所述金属颗粒(A)含有选自Ag、Au和Cu中的一种或两种以上。
7.根据权利要求1或2所述的导热性组合物,其特征在于:
所述金属颗粒(A)包含球状颗粒。
8.根据权利要求1或2所述的导热性组合物,其特征在于:
所述金属颗粒(A)包含片状颗粒。
9.根据权利要求1或2所述的导热性组合物,其特征在于:
所述金属颗粒(A)包含球状颗粒和片状颗粒两者。
10.根据权利要求1或2所述的导热性组合物,其特征在于:
相对于所述导热性组合物总量,所述金属颗粒(A)的含量为80质量%以上95质量%以下。
11.根据权利要求1或2所述的导热性组合物,其特征在于:
以测量频率1Hz的条件进行动态粘弹性测量时,在140℃~180℃的温度范围内,具有10℃以上的剪切弹性模量为5,000Pa以上100,000Pa以下的温度幅度。
12.根据权利要求1或2所述的导热性组合物,其特征在于:
除去所述金属颗粒(A)后,以180℃、2个小时的条件进行加热而获得的试样的丙酮不溶物为5质量%以下。
13.根据权利要求1或2所述的导热性组合物,其特征在于:
分子内仅具有一个所述自由基聚合性双键的所述化合物包含下述式(1)所示的化合物,
式(1)中,R11为氢或甲基,R12为碳原子数1~20的一价有机基团。
14.根据权利要求1或2所述的导热性组合物,其特征在于:
5%重量减少温度为100℃以上180℃以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





