[发明专利]半导体晶片表面保护膜以及半导体装置的制造方法

说明书

本发明的半导体晶片表面保护膜依次具有基材层A、粘着性吸收层B及粘着性表层C，粘着性吸收层B包含含有热固性树脂b1的粘着剂组合物，粘着性吸收层B的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'b的最小值G'bmin为0.001MPa以上且小于0.1MPa，250℃时的储能模量G'b250为0.005MPa以上，且显示出G'bmin的温度为50℃以上且150℃以下，粘着性表层C的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'c的最小值G'cmin为0.03MPa以上。

技术领域

本发明涉及一种半导体晶片表面保护膜以及半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体装置通常可经过以下工序而制造：对半导体晶片的非电路形成面进行研磨而使半导体晶片的厚度变薄的工序(背面研磨(back grinding)工序)，通过溅射等在研磨后的半导体晶片的非电路形成面上形成电极的工序(背面金属化(back metal)工序)等。就为了抑制由研磨屑或研磨水等对半导体晶片的电路形成面的污染等方面而言，这些工序于在半导体晶片的电路形成面上贴附有表面保护膜的状态下进行。

对于如此而使用的表面保护膜，要求可良好地追随于半导体晶片的电路形成面的凹凸，且于剥离时可无残胶地进行剥离。

作为表面保护膜，例如已提出有：依次含有基材层、中间层及粘着剂层，且中间层含有丙烯酸系聚合物及异氰酸酯交联剂，粘着剂层含有具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物、异氰酸酯系交联剂及光聚合引发剂的表面保护膜(专利文献1)；中间层含有丙烯酸系聚合物、异氰酸酯系交联剂、紫外线固化型寡聚物及光聚合引发剂，粘着剂层含有具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物、异氰酸酯系交联剂及光聚合引发剂的表面保护膜(专利文献2)等。这些表面保护膜通过在剥离时照射紫外线而使粘着剂层或中间层所含的紫外线固化型寡聚物固化，从而使其容易剥离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4369584号公报

专利文献2：日本专利第4367769号公报

发明内容

发明所要解决的课题

另外，在背面研磨工序或背面金属化工序中，半导体晶片容易成为高温。尤其在背面金属化工序中，因在研磨后的半导体晶片的非电路形成面上蒸镀铜、铝等的金属薄膜，故半导体晶片是置于真空下，且容易成为250℃附近的高温。在经过这种减压高温的工序的情形时，若表面保护膜的中间层、粘着剂层的弹性模量过低，则有剥离时膜的粘着力过高而容易发生晶片的破裂、或容易产生残胶等问题。

另一方面，若表面保护膜的中间层、粘着剂层的弹性模量过高，则表面保护膜不追随于晶片的凹凸，气泡容易混入至晶片的凹凸与膜之间。若将在与膜之间混入有气泡的晶片于高温下进行处理，则有可能气泡膨胀而容易产生膜的浮起，在形成金属薄膜时发生不良状况。

相对于此，可以认为专利文献1、专利文献2的表面保护膜在进行背面金属化工序等高温工序之前，通过紫外线照射而使粘着剂层、中间层固化，由此可于某种程度上提高弹性模量。然而，为了对粘着剂层、中间层以充分进行固化的程度照射紫外线，必须提高基材层的透明性而提高紫外光的透过性。具有充分的耐热性、且具有高透明性的基材层少，基材层的耐热性容易变得不充分。

本发明鉴于上述情况而完成，其目的在于提供一种半导体晶片表面保护膜，该半导体晶片表面保护膜可良好地追随于半导体晶片的电路形成面的凹凸而贴附，且即便在经过背面金属化工序等高温工序的情形时，也可抑制剥离时的晶片的破裂、残胶。

解决课题的手段