[发明专利]半导体晶片表面保护膜以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680038179.7 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN107750386B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 镰田润;川崎登;宇杉真一;助川诚;木下仁;五十岚康二;森本哲光 | 申请（专利权）人： | 三井化学东赛璐株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B32B27/00;B32B27/30;C09J7/20;C09J133/04;C09J201/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 保护膜 以及 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体晶片表面保护膜，依次具有基材层A、粘着性吸收层B及粘着性表层C，
所述粘着性吸收层B包含含有热固性树脂b1的粘着剂组合物，
所述粘着性吸收层B的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'b的最小值G'bmin为0.001MPa以上且小于0.1MPa，250℃时的储能模量G'b250为0.005MPa以上，且显示出所述G'bmin的温度为50℃以上且150℃以下，
所述粘着性表层C的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'c的最小值G'cmin为0.03MPa以上且小于3MPa，且250℃时的所述粘着性表层C的储能模量G'c250为0.1MPa以上。
2.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护膜，所述G'cmin大于所述G'bmin。
3.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护膜，所述G'b250为0.005MPa以上且10MPa以下，且所述G'b250大于所述G'bmin。
4.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护膜，所述G'cmin为0.03MPa以上且小于3MPa，且所述G'c250为0.1MPa以上且100MPa以下。
5.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护膜，所述粘着性吸收层B的厚度Tb为10μm以上且600μm以下，且所述粘着性表层C的厚度Tc为1μm以上且50μm以下。
6.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护膜，所述热固性树脂b1为含有热聚合性双键、环氧基或氮丙啶基的热固性树脂。
7.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护膜，所述热固性树脂b1为含有热聚合性双键、环氧基或氮丙啶基的(甲基)丙烯酸酯系聚合物。
8.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护膜，所述热固性树脂b1为含有热聚合性双键的(甲基)丙烯酸酯系聚合物。
9.如权利要求7所述的半导体晶片表面保护膜，所述热固性树脂b1为以所述含有热聚合性双键、环氧基或氮丙啶基的化合物将所述(甲基)丙烯酸酯系聚合物的全部结构单元中的0.2摩尔％～30摩尔％的结构单元改性而成的树脂。
10.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护膜，所述粘着剂组合物进一步含有热聚合引发剂。
11.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护膜，所述粘着剂组合物进一步含有热塑性树脂b2，
所述热固性树脂b1与所述热塑性树脂b2的含有比例以b1/b2的质量比计为1/99～90/10。
12.如权利要求11所述的半导体晶片表面保护膜，所述热塑性树脂b2为(甲基)丙烯酸酯聚合物。
13.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护膜，所述粘着剂组合物进一步含有交联剂。
14.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护膜，所述粘着性表层C含有(甲基)丙烯酸酯聚合物。
15.如权利要求14所述的半导体晶片表面保护膜，所述粘着性表层C所含的所述(甲基)丙烯酸酯聚合物含有热聚合性双键、环氧基或氮丙啶基。
16.如权利要求15所述的半导体晶片表面保护膜，所述粘着性表层C所含的所述含有热聚合性双键、环氧基或氮丙啶基的(甲基)丙烯酸酯聚合物的至少一部分被固化。
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