[发明专利]使用位线缺陷信息解码数据有效
申请号: | 201680037278.3 | 申请日: | 2016-06-10 |
公开(公告)号: | CN107810533B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | R.本-鲁比;M.施利克;M.科恩 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C8/10 | 分类号: | G11C8/10;G11C11/56;G11C29/52;G11C29/04;G11C29/44 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 缺陷 信息 解码 数据 | ||
1.一种数据存储装置,包括:
存储器,其包含配置为存储数据的多个存储元件,其中所述多个存储元件包含存储元件的第一组和存储元件的第二组;以及
选择模块,其配置为响应于与所述存储元件的第一组相对应的第一地址来撷取影响所述存储元件的第一组的第一位线缺陷信息,其中所述第一地址由对读取数据的第一请求指示,且其中所述选择模块还被配置为撷取影响所述存储元件的第二组的第二位线缺陷信息。
2.如权利要求1所述的数据存储装置,其中所述存储器配置为存储位线缺陷信息的表格,其中所述表格中的第一条目包含所述第一位线缺陷信息,并且其中所述表格中的第二条目包含所述第二位线缺陷信息。
3.如权利要求1所述的数据存储装置,其中所述选择模块配置为响应于与所述存储元件的第二组相对应的第二地址来撷取所述第二位线缺陷信息,并且其中所述第二地址由对数据的第二请求指示。
4.如权利要求1所述的数据存储装置,还包括读取/写入电路,所述读取/写入电路配置为响应于来自控制器的对第一读取数据的请求来感测存储在所述存储元件的第一组处的所述第一读取数据,其中响应于所述对第一读取数据的请求来向所述控制器提供所述第一读取数据的表示和所述第一位线缺陷信息。
5.如权利要求4所述的数据存储装置,其中在第一时间段期间感测所述第一读取数据,其中在第二时间段期间撷取所述第一位线缺陷信息,并且其中所述第二时间段的至少一部分与所述第一时间段重叠。
6.如权利要求1所述的数据存储装置,其中所述存储器包含只读存储器(ROM)熔丝,所述只读存储器(ROM)熔丝配置为存储所述第一位线缺陷信息和所述第二位线缺陷信息。
7.如权利要求1所述的数据存储装置,其中所述存储器包含单级单元(SLC)存储元件,其配置为存储所述第一位线缺陷信息和所述第二位线缺陷信息,且其中所述存储器包括非易失性存储器。
8.如权利要求1所述的数据存储装置,其中所述选择模块配置为向控制器的软位生成器提供第一位线缺陷信息和第二位线缺陷信息。
9.一种数据存储装置,包括:
存储器,其包含多个存储元件;以及
控制器,其耦合到所述存储器,所述控制器配置为:
从所述存储器接收第一位线缺陷信息,其中所述第一位线缺陷信息标识具有影响所述多个存储元件中的存储元件的第一组的缺陷的位线;
从所述存储器接收第二位线缺陷信息,其中所述第二位线缺陷信息标识具有影响所述多个存储元件中的存储元件的第二组的缺陷的位线;
基于所述第一位线缺陷信息来产生软位的第一集合;并且
基于所述第二位线缺陷信息来产生软位的第二集合。
10.如权利要求9所述的数据存储装置,其中所述控制器配置为向所述存储器发送对第一读取数据的请求,并且配置为响应于发送所述对第一读取数据的请求来接收所述第一读取数据的表示和所述第一位线缺陷信息。
11.如权利要求10所述的数据存储装置,其中所述控制器配置为向所述存储器发送对第二读取数据的请求,并且配置为响应于发送所述对第二读取数据的请求来接收所述第二读取数据的表示和所述第二位线缺陷信息。
12.如权利要求9所述的数据存储装置,其中所述控制器包含解码器,所述解码器配置为基于第一读取数据的表示和所述软位的第一集合来产生第一解码的数据。
13.如权利要求9所述的数据存储装置,其中所述控制器包含压缩模块,所述压缩模块配置为对所述第一位线缺陷信息、所述第二位线缺陷信息、或其组合进行数据解压缩操作。
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