[发明专利]有机电子元件的制造方法及空穴注入层的形成方法

权利要求书

1.一种有机电子元件的制造方法，是具有空穴注入层的有机电子元件的制造方法，该制造方法具备：

空穴注入层用涂布膜形成工序，向塑料基板上涂布包含空穴注入材料的空穴注入层用涂布液而形成空穴注入层用涂布膜；以及

加热处理工序，利用向所述空穴注入层用涂布膜的红外线的照射来加热所述空穴注入层用涂布膜，形成所述空穴注入层，

所述空穴注入层用涂布膜在第一波长范围1.2μm～5.0μm中具有吸收，

所述红外线是在所述第一波长范围中包含波长范围1.2μm～10.0μm中的所述红外线的总发射能量的80％以上的红外线。

2.根据权利要求1所述的有机电子元件的制造方法，其中，

在构成所述塑料基板的塑料材料的吸收光谱中所述第一波长范围的所述吸收光谱的积分值小于第二波长范围5.0μm～10.0μm的所述吸收光谱的积分值。

3.根据权利要求1或2所述的有机电子元件的制造方法，其中，

所述红外线的发射光谱与所述空穴注入层用涂布膜的吸收光谱的叠加的光谱中的所述第一波长范围的积分值大于第二波长范围5.0μm～10.0μm的积分值。

4.根据权利要求3所述的有机电子元件的制造方法，

在所述红外线的发射光谱与所述空穴注入层用涂布膜的吸收光谱的叠加的光谱中，在将所述第一波长范围的积分值设为A1、将所述第二波长范围的积分值设为A2时，A1/(A1+A2)为0.8以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的有机电子元件的制造方法，

所述加热处理工序中，利用所述红外线进行加热，并且利用不同于所述红外线的热源，加热所述空穴注入层用涂布膜。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电子元件的制造方法，

所述加热处理工序中，以使所述塑料基板的温度为构成塑料基板的材料的玻璃化转变温度以下的方式，加热所述塑料基板。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的有机电子元件的制造方法，其中，

所述塑料基板具有挠曲性，

在将从卷绕在卷出辊上的所述塑料基板送出的所述塑料基板卷绕到卷绕辊上的过程中进行所述加热处理工序。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的有机电子元件的制造方法，其中，

所述有机电子元件为有机电致发光元件、有机光电转换元件、或有机薄膜晶体管。

9.一种空穴注入层的形成方法，该形成方法具备：

空穴注入层用涂布膜形成工序，向塑料基板上涂布包含空穴注入材料的空穴注入层用涂布液而形成空穴注入层用涂布膜；以及

加热处理工序，利用向所述空穴注入层用涂布膜的红外线的照射来加热所述空穴注入层用涂布膜，形成所述空穴注入层，

所述空穴注入层用涂布膜在第一波长范围1.2μm～5.0μm中具有吸收，

所述红外线是在所述第一波长范围中包含波长范围1.2μm～10.0μm的所述红外线的总发射能量的80％以上的红外线。

10.根据权利要求9所述的空穴注入层的形成方法，其中，

在构成所述塑料基板的塑料材料的吸收光谱中所述第一波长范围的所述吸收光谱的积分值小于第二波长范围5.0μm～10.0μm的所述吸收光谱的积分值。

11.根据权利要求9或10所述的空穴注入层的形成方法，其中，

所述红外线的发射光谱与所述空穴注入层用涂布膜的吸收光谱的叠加的光谱中的所述第一波长范围的积分值大于第二波长范围5.0μm～10.0μm的积分值。

12.根据权利要求11所述的空穴注入层的形成方法，

在所述红外线的发射光谱与所述空穴注入层用涂布膜的吸收光谱的叠加的光谱中，在将所述第一波长范围的积分值设为A1、将所述第二波长范围的积分值设为A2时，A1/(A1+A2)为0.8以上。

13.根据权利要求9～12中任一项所述的空穴注入层的形成方法，

所述加热处理工序中，利用所述红外线进行加热，并且利用不同于所述红外线的热源，加热所述空穴注入层用涂布膜。