[发明专利]用于制备丙烯酰氧基硅烷的方法

权利要求书

1.一种用于纯化丙烯酰氧基硅烷的方法，所述方法包括：

使包含丙烯酰氧基硅烷、卤代有机烷氧基硅烷和非极性溶剂的混合物经受足以使所述非极性溶剂的一部分、所述卤代有机烷氧基硅烷或者所述非极性溶剂和所述卤代有机烷氧基硅烷从所述混合物中蒸发的温度和压力，以产生包含丙烯酰氧基硅烷的经纯化的混合物，其中基于所述非极性溶剂中所述支链烷烃和所述直链烷烃的重量，所述非极性溶剂包含0.5％至15％(重量/重量)的具有5至20个碳原子的支链烷烃和85％至99.5％(重量/重量)的具有5至14个碳原子的直链烷烃，并且其中基于所述非极性溶剂的重量，所述非极性溶剂包含小于5％(重量/重量)的芳族化合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法使用经纯化的所述混合物作为所述包含丙烯酰氧基硅烷、卤代有机烷氧基硅烷和非极性溶剂的混合物重复一次或多次。

3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括使经纯化的所述混合物经受足以使所述丙烯酰氧基硅烷蒸发的温度和压力，冷凝蒸发的所述丙烯酰氧基硅烷，以及收集冷凝的所述丙烯酰氧基硅烷以形成最终经纯化的丙烯酰氧基硅烷产物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法使用薄膜蒸发器、刮膜蒸发器、降膜蒸发器、短程蒸馏单元或者一系列薄膜蒸发器、刮膜蒸发器、降膜蒸发器、短程蒸馏单元进行。

5.根据权利要求4所述的方法，其中经纯化的所述混合物从所述薄膜蒸发器、刮膜蒸发器、降膜蒸发器或短程蒸馏单元的出口传输至相同或不同的所述薄膜蒸发器、刮膜蒸发器、降膜蒸发器或短程蒸馏单元的入口以对经纯化的所述混合物进行加热并且重复所述方法。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中所述混合物或经纯化的所述混合物以10kg/hr·m²至100kg/hr·m²的流速流动穿过所述薄膜蒸发器、所述刮膜蒸发器、所述降膜蒸发器、所述短程蒸馏单元。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述温度为50℃至230℃并且所述压力为0kPa至102kPa。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述丙烯酰氧基硅烷具有式CR⁶₂＝CR¹COOR³Si(OR⁴)_nR⁵_3-n(IV)，其中R¹为H、R⁷COO^-M^a+或C₁-C₆烃基，R³为C₁-C₆亚烃基，每个R⁴独立地为C₁-C₁₀烃基，每个R⁵独立地为R¹，每个R⁶独立地为H、C₁-C₆烃基或COOR³Si(OR⁴)_nR⁵_3-n，R⁷为具有1至6个碳原子的亚烃基，n为1至3的整数，M^a+为碱金属阳离子或碱土金属阳离子，a为阳离子电荷并且值为1或2。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述丙烯酰氧基硅烷为γ-丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-山梨醇氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-山梨醇氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-山梨醇氧基丙基三乙氧基硅烷、双(γ-三甲氧基甲硅烷基丙基)延胡索酸酯或双(γ-三乙氧基甲硅烷基丙基)延胡索酸酯。