[发明专利]用于降低基板温度非均匀性的改良式装置

说明书

本公开内容的实施方式提供盖组件，该盖组件包括盖件，该盖件具有多个通口，且每一通口具有低于1mm的直径，例如在约0.1mm至约0.9mm之间。盖件可设置于基板的设备侧表面与反射器板之间，皆设置于热处理腔室内。在热处理腔室内具有多个小通口的盖件的存在改善了在处理掺杂基板之后随着时间的热均匀性。

技术领域

本公开内容的实施方式一般地涉及用于热处理基板的装置。

背景技术

使用基板处理系统以制造半导体逻辑及内存设备、平板显示器、CD ROM及其他设备。在处理期间，这些基板可经受化学气相沉积(CVD)及快速热处理(RTP)；RTP包含，例如：快速热退火(RTA)、快速热清洁(RTC)、快速热CVD(RTCVD)、快速热氧化(RTO)及快速热氮化(RTN)。RTP系统通常包括加热灯具、LED、激光器、或其组合，而经由光透射式窗部辐射地加热基板。RTP系统也可包括其他光学元件，例如相对于基板表面的光学反射性表面及处理期间用于量测基板温度的光学检测器。

离子植入为用于将化学杂质导入半导体基板以形成用于场效应pn结或双极晶体管制造的方法。这些杂质包含p型掺杂物及n型掺杂物，p型掺杂物例如硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铍(Be)、镁(Mg)、及锌(Zn)，且n型掺杂物例如磷(P)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)、硒(Se)及碲(Te)。化学杂质的离子植入在植入的范围破坏半导体基板的结晶度。在低杂质能量下，对基板发生相对小的损害。然而，植入的掺杂物在基板中不会停留在电活性的地点。因此，使用退火处理以恢复基板的结晶度且驱动植入的掺杂物于电活性的结晶地点上。可使用诸如RTP之类的热处理以活化掺杂物。

已发现：处理期间跨基板的热均匀性在处理掺杂As的基板之后随着时间降低。图2A为示出了处理期间跨基板的热均匀性在处理高度掺杂As的基板之后降低的图表。如图2A图中所示，在处理掺杂基板之前，示出跨基板(在x轴中示出为线扫瞄)的温度(在y轴中示出为片电阻Rs)剖面为曲线“之前”。在处理25个高度掺杂As的基板之后，示出跨基板的温度剖面为曲线“25之后”。在处理100个高度掺杂As的基板之后，示出跨基板的温度剖面为曲线“100之后”。在处理500个高度掺杂As的基板之后，示出跨基板的温度剖面为曲线“500之后”。如图2A中所示，曲线“500之后”、“100之后”、及“25之后”的温度剖面清楚地较曲线“之前”不均匀。

因此，需要改进的装置以改良处理期间的热均匀性。

发明内容

本公开内容的实施方式一般地涉及用于热处理基板的装置。在一个实施方式中，处理腔室包含：基板支撑件；能量源，该能量源面对该基板支撑件；反射器板，该反射器板具有反射性表面，在该能量源与该反射器板之间设置该基板支撑件；及盖件，在该反射器板与该基板支撑件之间设置该盖件。该盖件包含多个通口，且这多个通口中的每一通口具有低于1mm的直径。

在另一实施方式中，处理腔室包括：基板支撑件；能量源，该能量源面对该基板支撑件；反射器板，该反射器板具有反射性表面，在该能量源与该反射器板之间设置该基板支撑件；及盖件，在该反射器板与该基板支撑件之间设置该盖件。该盖件包含多个通口，且这多个通口中的每一通口具有范围在约0.1mm至约0.9mm的直径。

在另一实施方式中，方法包含以下步骤：在处理期间自能量源向基板支撑件输送电磁能量，其中该基板支撑件经构造以支撑基板的非设备侧表面；及输送热处理气体至盖件容积区域，在反射器板与盖件之间形成该盖件容积区域。在该反射器板与该能量源之间设置该盖件，被输送至该盖件容积区域的该热处理气体的至少一部分自该盖件容积区域经由在该盖件中形成的多个通口流动至该基板的设备侧表面的一部分。这多个通口中的每一通口具有低于1mm的直径。

附图说明