[发明专利]用于降低基板温度非均匀性的改良式装置

权利要求书

1.一种处理腔室，包括：

基板支撑件；

能量源，所述能量源面对所述基板支撑件；

反射器板，所述反射器板具有反射性表面，其中在所述能量源与所述反射器板之间设置所述基板支撑件；和

盖件，在所述反射器板与所述基板支撑件之间设置所述盖件，其中所述盖件包含多个通口，且其中所述多个通口的每一通口具有低于1mm的直径。

2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述多个通口以非均匀性排列方式来布置。

3.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括窗部，在所述基板支撑件与所述能量源之间设置所述窗部。

4.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述盖件包含石英。

5.如权利要求4所述的处理腔室，其中所述盖件包含具有在600与1300ppm之间的氢氧基(hydroxyl)杂质的熔融石英。

6.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述盖件包含蓝宝石(sapphire)。

7.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述反射器板包括冷却通道。

8.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括围绕所述反射器板设置的金属板。

9.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述多个通口的每一通口具有范围在0.25mm至0.75mm的直径。

10.一种处理腔室，包括：

基板支撑件；

能量源，所述能量源面对所述基板支撑件；

反射器，其中在所述能量源与所述反射器之间设置所述基板支撑件；和

盖件，在所述反射器与所述基板支撑件之间设置所述盖件，其中所述盖件包含多个通口，且其中所述多个通口的每一通口具有范围在0.1mm至0.9mm的直径。

11.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述盖件包含石英。

12.一种用于热处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：

在处理期间自能量源向基板支撑件输送电磁能量，其中所述基板支撑件经构造以支撑基板的非设备侧表面；和

输送热处理气体至盖件容积区域，在反射器板与盖件之间形成所述盖件容积区域，其中在所述反射器板与所述能量源之间设置所述盖件，其中被输送至所述盖件容积区域的所述热处理气体的至少一部分自所述盖件容积区域经由在所述盖件中形成的多个通口流动至所述基板的设备侧表面的一部分，且其中所述多个通口的每一通口具有低于1mm的直径。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述热处理气体包括惰性气体。

14.如权利要求12所述的方法，进一步包括以下步骤：使冷却流体在冷却通道内流动，在所述反射器板内形成所述冷却通道。

15.如权利要求12所述的方法，进一步包括以下步骤：在处理期间使用一个或多个传感器量测基板的温度，其中在处理期间在所述传感器与所述基板之间设置所述盖件及所述盖件容积区域。