[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法和使用有源矩阵基板的显示装置

说明书

有源矩阵基板(1001)具备：多个像素区域，其在基板(1)上在第1方向和第2方向上排列为矩阵状；多个栅极配线(G)，其在第1方向上延伸；以及多个源极配线(S)，其在第2方向上延伸，有源矩阵基板(1001)具有：显示区域(800)，其包含多个像素区域；以及非显示区域(900)，其位于显示区域的周边，各像素区域具备：薄膜晶体管(101)，其包含氧化物半导体层；以及像素电极(15)，其与漏极电极(9)一体地形成，栅极电极(3)和栅极配线(G)由第1透明导电膜形成，漏极电极(9)和像素电极(15)由第2透明导电膜形成，有源矩阵基板(1001)还具备：多个栅极信号线，其设置于非显示区域(900)，并且由金属膜形成；以及第1连接部，其将多个栅极配线(G)中的各栅极配线(G)连接到栅极信号线中的任意一个栅极信号线。

技术领域

本发明涉及使用氧化物半导体的有源矩阵基板及其制造方法。

本发明涉及使用氧化物半导体的有源矩阵基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置等所使用的有源矩阵基板按每个像素具备薄膜晶 体管(Thin FilmTransistor；以下称为“TFT”)等开关元件。作为这 样的开关元件，以往广泛使用以非晶硅膜为活性层的TFT(以下称为 “非晶硅TFT”)、以多晶硅膜为活性层的TFT(以下称为“多晶硅TFT”)。

近年来，已提出使用氧化物半导体代替非晶硅、多晶硅作为TFT 的活性层的材料。将这样的TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物 半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能以比非 晶硅TFT高的速度进行动作。另外，氧化物半导体膜利用比多晶硅膜 简便的工艺形成，因此能适用于必需大面积的装置。具备氧化物半 导体TFT的有源矩阵基板(以下称为“TFT基板”)例如公开于专利 文献1和2中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2003-86808号公报

专利文献2：特开2010-147458号公报

发明内容

发明要解决的问题

在例如专利文献1公开的现有的TFT基板中，设置于显示区域的 栅极配线、源极配线、TFT的栅极电极、源极/漏极电极等电极和配 线是使用金属膜形成的。因此，成为致使光透射区域在像素中所占 的比例(以下称为“像素开口率”)降低的主要原因。

背景技术

液晶显示装置等所使用的有源矩阵基板按每个像素具备薄膜晶体管(Thin FilmTransistor；以下称为“TFT”)等开关元件。作为这样的开关元件，以往广泛使用以非晶硅膜为活性层的TFT(以下称为“非晶硅TFT”)、以多晶硅膜为活性层的TFT(以下称为“多晶硅TFT”)。

近年来，已提出使用氧化物半导体代替非晶硅、多晶硅作为TFT 的活性层的材料。将这样的TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能以比非晶硅TFT高的速度进行动作。另外，氧化物半导体膜利用比多晶硅膜简便的工艺形成，因此能适用于必需大面积的装置。具备氧化物半导体TFT的有源矩阵基板(以下称为“TFT基板”)例如公开于专利文献1和2中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2003-86808号公报

专利文献2：特开2010-47458号公报

发明内容