[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法和使用有源矩阵基板的显示装置

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，具备：基板；多个像素区域，其在上述基板上在第1方向和第2方向上排列为矩阵状；多个栅极配线，其在上述第1方向上延伸；以及多个源极配线，其在上述第2方向上延伸，上述有源矩阵基板的特征在于，具有：显示区域，其包含上述多个像素区域；以及非显示区域，其位于上述显示区域的周边，

上述多个像素区域中的各像素区域具备：

薄膜晶体管，其支撑于上述基板，包含：栅极电极；栅极绝缘层，其覆盖上述栅极电极；氧化物半导体层，其形成在上述栅极绝缘层上；以及源极电极和漏极电极，其以与上述氧化物半导体层接触的方式配置；以及

像素电极，其与上述漏极电极一体地形成，

上述栅极电极连接到上述多个栅极配线中的任意一个栅极配线，上述源极电极连接到上述多个源极配线中的任意一个源极配线，

上述栅极电极和上述多个栅极配线由第1透明导电膜形成，

上述漏极电极和上述像素电极由第2透明导电膜形成，

上述有源矩阵基板还具备：

多个栅极信号线，其设置于上述非显示区域，并且由金属膜形成；以及

第1连接部，其将上述多个栅极配线中的各栅极配线连接到上述多个栅极信号线中的任意一个栅极信号线，

从上述基板的法线方向观看时，包含由上述第2透明导电膜一体地形成的上述漏极电极和上述像素电极的透明导电层按每个像素区域被分离，并且在延伸于上述第2方向的边缘部具有凹部，

上述凹部以与上述氧化物半导体层重叠的方式配置。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

还具备覆盖上述多个栅极配线的层间绝缘层，

上述多个栅极信号线形成在上述层间绝缘层上，

在上述第1连接部中，上述多个栅极配线中的各栅极配线在设置于上述层间绝缘层的开口内与上述任意一个栅极信号线接触。

3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，

上述源极电极和上述多个源极配线由上述第2透明导电膜形成，

上述有源矩阵基板还具备：

多个源极信号线，其设置于上述非显示区域，并且由金属膜形成；以及

第2连接部，其将上述多个源极配线中的各源极配线连接到上述多个源极信号线中的任意一个源极信号线。

4.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，

上述源极电极由上述第2透明导电膜形成，

上述多个源极配线由金属膜形成。

5.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，

上述源极电极和上述多个源极配线由金属膜形成。

6.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，

上述多个像素区域中的各像素区域还具备包含其它薄膜晶体管的电路，

上述其它薄膜晶体管包含：

其它栅极电极，其由上述第1透明导电膜形成；

上述栅极绝缘层，其以覆盖上述其它栅极电极的方式延伸设置；

其它氧化物半导体层，其形成在上述栅极绝缘层上；以及

其它源极电极和其它漏极电极，其以与上述其它氧化物半导体层接触的方式配置，

上述其它源极电极和上述其它漏极电极中的至少一方由上述第2透明导电膜形成。

7.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，

还具备由上述第1透明导电膜形成的共用电极，

上述共用电极隔着上述栅极绝缘层与上述像素电极的至少一部分重叠。

8.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，

上述氧化物半导体层含有铟和锡。

9.根据权利要求8所述的有源矩阵基板，

上述氧化物半导体层包含In-Sn-Zn-O系半导体。

10.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，

上述第2透明导电膜是铟-锌氧化物。