[发明专利]光电传感器基板在审
申请号: | 201680032360.7 | 申请日: | 2016-06-02 |
公开(公告)号: | CN107636831A | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 中野文树;宫本忠芳 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L29/786;H04N5/374 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人: | 汪飞亚,习冬梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 传感器 | ||
技术领域
本发明涉及一种光电传感器基板。
背景技术
已知存在一种光电传感器基板,在其基板上,配置有沿第一方向延伸的多条扫描线(栅极线)以及沿与第一方向不同的第二方向延伸的多条数据线(源极线),同时,与扫描线和数据线的交点对应地配置有晶体管和光电转换元件(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开2012-256819号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而,当扫描线或数据线等配线的电阻大时,朝向配线终端的信号传输会出现延迟。因此,优选小的配线电阻。
本发明的目的在于,提供一种用于降低光电传感器基板的配线电阻的技术。
解决问题的手段
本发明的一个实施方式中的光电传感器基板具备:基板;配置在所述基板上并沿第一方向延伸的多条第一配线;配置在所述基板上并沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的多条第二配线;与所述第一配线和所述第二配线的各交点对应地配置并与所述第一配线以及所述第二配线连接的晶体管;覆盖所述晶体管的绝缘层;与所述第一配线和所述第二配线的各交点对应地配置并通过所述绝缘层的第一接触孔与所述晶体管连接的光电转换元件;以及沿所述第二方向延伸并与所述光电转换元件连接的多条偏压线,所述第二配线通过所述绝缘层的第二接触孔与所述晶体管连接,并且所述第二配线的线宽宽于所述偏压线的线宽。
发明效果
根据本发明的公开,能够通过使第二配线的线宽宽于偏压线的线宽来降低第二配线的电阻。
附图说明
图1是第一实施方式中光电传感器基板的结构示例的俯视图。
图2是从垂直于光电传感器基板的方向观察时的传感器部的结构示例图。
图3是图2中III-III线的剖视图。
图4是图2中IV-IV线的剖视图。
图5是连接线与源极线的交叉部分的剖视图。
图6A是第一实施方式中光电传感器基板的制造工序的说明图。
图6B是图6A的下一个制造工序的说明图。
图6C是图6B的下一个制造工序的说明图。
图6D是图6C的下一个制造工序的说明图。
图6E是图6D的下一个制造工序的说明图。
图6F是图6E的下一个制造工序的说明图。
图6G是图6F的下一个制造工序的说明图。
图6H是图6G的下一个制造工序的说明图。
图7是从垂直于第二实施方式中光电传感器基板的方向观察时的传感器部的结构示例图。
图8是图7中VIII-VIII线的剖视图。
图9是图7中IX-IX线的剖视图。
图10A是第二实施方式中光电传感器基板的制造工序的说明图。
图10B是图10A的下一个制造工序的说明图。
图10C是图10B的下一个制造工序的说明图。
图10D是图10C的下一个制造工序的说明图。
图10E是图10D的下一个制造工序的说明图。
图10F是图10E的下一个制造工序的说明图。
图10G是图10F下一个制造工序的说明图。
图11是将图1所示光电传感器基板应用于X射线图像检测装置时的结构示例图。
图12是从垂直于第二实施方式的变形例中的光电传感器基板的方向观察时的传感器部的结构示例图。
具体实施方式
本发明的一个实施方式中的光电传感器基板具备:基板;配置在所述基板上并沿第一方向延伸的多条第一配线;配置在所述基板上并沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的多条第二配线;与所述第一配线和所述第二配线的各交点对应地配置并与所述第一配线以及所述第二配线连接的晶体管;覆盖所述晶体管的绝缘层;与所述第一配线和所述第二配线的各交点对应地配置并通过所述绝缘层的第一接触孔与所述晶体管连接的光电转换元件;以及沿所述第二方向延伸并与所述光电转换元件连接的多条偏压线,所述第二配线通过所述绝缘层的第二接触孔与所述晶体管连接,并且,所述第二配线的线宽宽于所述偏压线的线宽(第一结构)。
根据第一结构,能够通过使第二配线的线宽宽于偏压线的线宽来降低第二配线的电阻。此外,由于在隔着绝缘层与晶体管相反的一侧配置有第二配线和光电转换元件,所以第二配线的材料或膜厚等结构不容易受到晶体管电极结构的制约。因此,易于实现第二配线的低电阻化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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