[发明专利]光电传感器基板在审
申请号: | 201680032360.7 | 申请日: | 2016-06-02 |
公开(公告)号: | CN107636831A | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 中野文树;宫本忠芳 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L29/786;H04N5/374 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人: | 汪飞亚,习冬梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 传感器 | ||
1.一种光电传感器基板,其特征在于,具备:
基板;
配置在所述基板上,并沿第一方向延伸的多条第一配线;
配置在所述基板上,并沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的多条第二配线;
与所述第一配线和所述第二配线的各交点对应地配置,并与所述第一配线以及所述第二配线连接的晶体管;
覆盖所述晶体管的绝缘层;
与所述第一配线和所述第二配线的各交点对应地配置,并通过所述绝缘层的第一接触孔与所述晶体管连接的光电转换元件;以及
沿所述第二方向延伸,并与所述光电转换元件连接的多条偏压线,
所述第二配线通过所述绝缘层的第二接触孔与所述晶体管连接,并且所述第二配线的线宽宽于所述偏压线的线宽。
2.根据权利要求1所述的光电传感器基板,其特征在于,
所述绝缘层包含覆盖所述晶体管的钝化膜以及隔着所述钝化膜设置在与所述晶体管相反的一侧上的平坦化膜,
所述第二配线通过贯穿所述钝化膜和所述平坦化膜的接触孔与所述晶体管连接。
3.根据权利要求2所述的光电传感器基板,其特征在于,
从垂直于所述基板的方向观看时,在所述第一配线和所述第二配线交叉的部分中,在所述第一配线和所述第二配线之间配置有所述钝化膜和所述平坦化膜。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的光电传感器基板,其特征在于,
所述晶体管具有栅极电极、栅极绝缘膜、隔着所述栅极绝缘膜设置在所述栅极电极相向位置上的半导体层、以及与所述半导体层连接并沿着与所述基板平行的方向彼此相向设置的漏极电极和源极电极,
所述第一配线与所述漏极电极和所述源极电极形成在同一层上,并通过所述栅极绝缘膜的接触孔与所述栅极电极连接。
5.根据权利要求4所述的光电传感器基板,其特征在于,
所述晶体管的栅极电极设置在所述栅极绝缘膜和所述基板之间。
6.根据权利要求4所述的光电传感器基板,其特征在于,
所述晶体管的栅极电极相对于所述栅极绝缘膜设置在与所述基板相反的一侧上。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的光电传感器基板,其特征在于,
在设有所述光电转换元件的区域的外侧,还具备使所述多条偏压线相互连接的连接线,
从与所述基板垂直的方向观看时,所述连接线与所述多条第二配线交叉,
在所述第二配线和所述连接线交叉的部分中,在所述第二配线和所述连接线之间配置有绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的