[发明专利]用于借助于开孔接触件的电镀式连接来使组件电接触的方法和相应的组件模块有效
申请号: | 201680031979.6 | 申请日: | 2016-05-23 |
公开(公告)号: | CN107660308B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | S.施特格迈尔;H.鲍尔埃格尔;V.佐默 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/49;H01L23/485 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;陈岚 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 借助于 接触 电镀 连接 来使 组件 方法 相应 模块 | ||
在用于使具有至少一个接触部的组件电接触的方法中,至少一个开孔接触件电镀式连接到至少一个接触部。因此构成组件模块。接触部优选是平面部分或者具有以下接触面:所述接触面的最大的平面延伸比接触部垂直于所述接触面的延伸更大。电镀式连接的温度为最高100℃、优选地最高60℃、适宜地最高20℃并且理想地最高5℃和/或与所述组件的运行温度偏差最高50℃、优选地最高20℃,尤其最高10℃并且理想地最高5℃、优选地最高2℃。组件可以借助所述接触件与另外的组件和/或导电体和/或衬底接触。优选地,考虑具有两个接触部的组件,所述两个接触部在所述组件的相互背离的侧上,其中,对于各个接触部,至少一个开孔接触件在所述接触部上电镀式连接。
技术领域
本发明涉及用于使具有导电接触部的组件电接触的方法,以及具有包括至少一个导电接触部的组件的组件模块。
背景技术
尤其在微系统技术和功率电子设备中,无源组件、诸如电阻以及半导体组件、诸如IGBT、二极管、MOSFET、LED和衬底、诸如例如FR4、DCB、ANM和引线框架(Leadframes)的电接触部借助构造和连接技术相互电连接。
已知以下方法用于到衬底上的电接触:借助导电粘合剂进行粘合,所谓的“Preforms(预成型)”焊接、借助焊膏的焊接、以及扩散焊接和烧结。在扩散焊接和烧结中,组件接触部也经受住高的温度。
而远离衬底的接触通常利用以下方法如引线键合技术(也称:“Bändchen-Bond-Technologie”)、压力接触技术借助补偿元素、如钼或者借助平面技术(例如SiPLIT、Skin和DirectFET)来实现。然而,在借助压力烧结或低压力烧结进行接触的情况下引起容易张紧和断裂的电接触部。此外,这样的烧结方法在时间上和仪器方面是耗费的。此外,焊接方法和烧结方法不利地引起高温输入到待接触的构件中并且因此不能够用于热敏感的组件。此外,电镀、扩散焊接和烧结是非常耗费时间的方法。
相反,在夹持连接或弹簧连接或挤压连接中,尤其在多个接触部位接触的情况下的必要的固定不利地需要巨大的装配耗费。此外,这些接触方法由于组件的基于无规律的压力引起的损坏的风险而是非常不可靠的。
相反,利用可挤压的焊接材料的接触(例如“Heatspring:热泉”,在申请时间点由企业Indium Cooperation销售)导致具有小的电传导性的接触并且此外是耗费的和昂贵的。
因此,已知的方法不利的是,为了电接触到衬底上并且远离衬底,以下要求很难能够同时被满足:
- 多个接触部的同时制造;
- 无高的温度输入(Temperatureintrag);
- 无高的压力输入(Druckeintrag);
- 从数秒至数分钟的时间范围中;
- 具有大的接触面;
- 以及高的耐热性。
发明内容
因此,本发明的任务是,说明一种用于使具有至少一个导电接触部的组件电接触的方法,所述方法不具有上述缺点。利用根据本发明的方法尤其可能的是,在无高的温度输入或压力输入的情况下快速地、大面积地并且耐热地同时接触多个接触部。此外,本发明的任务是,提供一种具有这样接触的电接触部的组件模块。
利用具有在权利要求1中说明的特征的方法以及利用具有在权利要求15中说明的特征的组件模块来解决本发明的任务。从所属的从属权利要求、以下的说明书和附图得出本发明的优选的扩展方案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造