[发明专利]用于借助于开孔接触件的电镀式连接来使组件电接触的方法和相应的组件模块有效
申请号: | 201680031979.6 | 申请日: | 2016-05-23 |
公开(公告)号: | CN107660308B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | S.施特格迈尔;H.鲍尔埃格尔;V.佐默 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/49;H01L23/485 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;陈岚 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 借助于 接触 电镀 连接 来使 组件 方法 相应 模块 | ||
1.一种用于组件(10)的电接触的方法,所述组件具有彼此背离的第一组件表面、第二组件表面和在所述组件(10)的彼此背离的侧上的两个电接触部(40,50),其中所述两个电接触部中的每一个电接触部具有彼此背离的第一接触面和第二接触面,其中所述两个电接触部中的第一电接触部的第二接触面与所述组件的所述第一组件表面接触并且所述两个电接触部中的第二电接触部的第二接触面与所述组件的所述第二组件表面接触,其中第一开孔接触件(60,60')电镀式连接到所述第一接触部(40)的所述第一接触面上并且第二开孔接触件(70,70')电镀式连接到所述第二接触部(50)的所述第一接触面上,其中所述第一开孔接触件(60,60')和第二开孔接触件(70,70')以泡沫状的和/或网络状的结构构成。
2.根据权利要求1所述的方法,其中使用这样的组件(10),在所述组件中,所述两个接触部(40,50)中的每一个接触部至少自身来看是平面部分和/或具有以下接触面:所述接触面的最大的平面延伸比所述接触部的垂直于所述接触面的延伸更大。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,使用导电的接触件(60,70,60',70')作为所述第一开孔接触件(60,60')和所述第二开孔接触件(70,70')。
4.根据以上权利要求中任一项所述的方法,其中,所述第一开孔接触件(60,60')和所述第二开孔接触件(70,70')由多孔的材料构成。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述第一开孔接触件(60,60')和所述第二开孔接触件(70,70')由金属构成。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述金属是镍和/或银和/或金和/或锡和/或铜。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述第一开孔接触件(60,60')和所述第二开孔接触件(70,70')在以下温度的情况下电镀式连接到所述两个接触部(40,50)上,所述温度为最高100℃和/或与所述组件的运行温度偏差最高50℃。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述第一开孔接触件(60,60')和所述第二开孔接触件(70,70')借助于电化学的电镀方法电镀式连接。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述第一开孔接触件(60,60')和所述第二开孔接触件(70,70')借助于无外部电流的方法电镀式连接。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述第一开孔接触件(60,60')和所述第二开孔接触件(70,70')借助于交换金属化和/或借助于还原金属化和/或借助于接触金属化电镀式连接。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述组件(10)借助所述第一开孔接触件(60,60')和所述第二开孔接触件(70,70')中的相应接触件与衬底(90)和/或与另外的构件接触,在此之后所述接触件(60,70,60',70')和/或所述组件(10)和/或所述衬底(90)和/或所述另外的构件设有电绝缘层(170)。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述另外的构件是导电体。
13.根据权利要求11所述的方法,其中,所述绝缘层(170)借助浇铸和/或模制构成。
14.根据权利要求11所述的方法,其中,所述绝缘层(170)由硅氧烷和/或聚合物构成。
15.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,使用功率组件作为组件(10)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造