[发明专利]固态成像装置、成像设备和固态成像装置的制造方法有效
申请号: | 201680030158.0 | 申请日: | 2016-04-19 |
公开(公告)号: | CN107615484B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 纳土晋一郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B7/34;G03B13/36;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 设备 制造 方法 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
像素,所述像素包括
聚集来自被摄体的光的微透镜,
光电转换单元,其接收由所述微透镜聚集的被摄体光,以根据接收的光量生成电气信号,和
设置在所述光电转换单元和所述微透镜之间的遮光部,
其中所述像素形成在所述固态成像装置的角部,
所述遮光部包括跨越所述光电转换单元的光接收面形成的边缘部,和
所述边缘部在与对应于输出图像的上下方向的第一方向和对应于输出图像的左右方向的第二方向不同的第三方向上跨越所述光电转换单元的光接收面形成,
其中第三方向是沿着从所述固态成像装置的光接收面的光轴中心延伸的放射线的方向。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中所述边缘部通过不同于沿着所述放射线的方向的方向线的组合形成为锯齿形。
3.根据权利要求2所述的固态成像装置,
其中所述固态成像装置包括多个像素,
包括所述遮光部的像素成对地设置,
成对的像素的遮光部形成为遮蔽像素的光接收面的不同范围。
4.一种成像设备,包括:
固态成像装置,所述固态成像装置是根据权利要求1-3中任一项所述的固态成像装置;和
对焦确定单元,其基于由所述像素生成的信号通过相位差检测来执行对焦确定。
5.一种固态成像装置的制造方法,所述制造方法包括:
形成像素的步骤,所述像素包括
聚集来自被摄体的光的微透镜,
光电转换单元,其接收由所述微透镜聚集的被摄体光,以根据接收的光量生成电气信号,和
设置在所述光电转换单元和所述微透镜之间的遮光部,
其中所述像素形成在所述固态成像装置的角部,
所述遮光部包括跨越所述光电转换单元的光接收面形成的边缘部,和
所述边缘部在与对应于输出图像的上下方向的第一方向和对应于输出图像的左右方向的第二方向不同的第三方向上跨越所述光电转换单元的光接收面形成,
其中第三方向是沿着从所述固态成像装置的光接收面的光轴中心延伸的放射线的方向。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其中所述边缘部通过不同于沿着所述放射线的方向的方向线的组合形成为锯齿形。
7.根据权利要求6所述的制造方法,
其中所述固态成像装置包括多个像素,
包括所述遮光部的像素成对地设置,
成对的像素的遮光部形成为遮蔽像素的光接收面的不同范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的