[发明专利]具有多个可彼此分开运行的像素的显示设备

说明书

技术领域

提出一种显示设备。

背景技术

发明内容

目的是提出一种显示设备，所述显示设备允许显示设备的尤其可靠的、有效的运行。

提出一种显示设备。显示设备尤其包括多个可彼此分开运行的像素，所述显示设备包括用于产生电磁辐射的半导体层序列。半导体层序列例如具有第一半导体层、有源层和第二半导体层。显示设备例如能够为发光二极管，尤其为薄膜发光二极管，所述发光二极管不具有用于半导体层序列的生长衬底。

显示设备沿竖直方向在第一主平面和第二主平面之间延伸，其中竖直方向能够横向于或垂直于第一和/或第二主平面伸展。主平面例如能够为在显示设备的顶面和底面上的主延伸平面。显示设备沿横向方向、即例如至少局部地平行于主平面面状扩展并且沿竖直方向具有如下厚度，所述厚度小于显示设备沿横向方向的最大延伸。

例如，半导体层序序列、尤其有源层包含III-V族化合物半导体材料。III-V族化合物半导体材料尤其适合于在紫外光谱范围中(Al_xIn_yGa_1-x-yN)经由可见光谱范围(尤其对于蓝色至绿色辐射为Al_xIn_yGa_1-x-yN，或尤其对于黄色至红色辐射为Al_xIn_yGa_1-x-yP)直至到红外光谱范围(Al_xIn_yGa_1-x-yAs)中产生辐射。在此分别适用的是0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1，尤其x≠1，y≠1，x≠0和/或y≠0。此外，借助尤其出自上述材料体系的III-V族半导体材料，在辐射产生时能够实现高的内部量子效率。

有源层设置在第一半导体层和第二半导体层之间。第一半导体层和第二半导体层适当地具有彼此不同的导电类型。尤其地，第一半导体层能够是p掺杂的半导体层，并且第二半导体层能够是n掺杂的半导体层。

在制造显示设备时，像素优选从共同的半导体层序列中产生。与相应的像素相关联的半导体层、即半导体层序列的形成像素的横向区域能够关于其材料组成和其层厚度方面除了制造引起的波动之外与同显示设备的另一像素相关联的半导体层相同。

例如，显示设备具有载体。载体例如能够具有多个开关，所述开关分别为了控制至少一个像素而与相应的像素相关联。载体例如能够机械地稳定半导体层序列。

第一主平面例如位于半导体层序列的背离载体的一侧上。相应地，第二主平面例如位于载体的背离半导体层序列的一侧上。

在至少一个实施方式中，显示设备包括用于接触第一半导体层的第一接触结构。此外，显示设备包括用于接触第二半导体层的第二接触结构。

第一接触结构示例性地设置在半导体层序列和载体之间。第一接触结构尤其与第一半导体层导电连接。借助于第一接触结构可从第二主平面起电接触第一半导体层。

例如，第一接触结构由金属层或金属层堆构成。优选地，第一接触结构具有光学镜作用。例如，第一接触结构由如Al、Ag、Au或Rh的材料构成或者具有这种材料。尤其地，第一接触结构的层厚度在50nm和500nm之间。

附加地或替选地，在半导体层序列和金属层或金属层堆之间引入透明导电氧化物(TCO)。例如，所述透明导电氧化物由如ITO、SnO、ZnO的材料构成或者具有这种材料。尤其地，这种层的层厚度小于100nm。

附加地，在透明导电氧化物层和金属层或金属层堆之间能够设置有电介质或介电的层堆。示例性地，所述电介质或介电的层堆由SiO2构成或具有SiO2。尤其地，其层厚度在100nm和1000nm之间。电介质或介电的层堆例如能够具有凹部，尤其是分隔开的。因此，透明导电氧化物层和金属层或金属层堆之间存在导电连接。

第二接触结构例如同样设置在载体和半导体层序列之间。第二接触结构尤其与第二半导体层导电连接。借助于第二接触结构，可从第二主平面起电接触第二半导体层。

第一接触结构和/或第二接触结构或其至少一个子层例如构成为是反射性的，尤其关于在显示设备运行时产生的辐射是反射性的。

在至少一个实施方式中，第一接触结构具有可彼此分开运行的第一接触部。第一接触部分别横向无中断地沿着第一半导体层延伸。第一接触部借助其轮廓分别对像素横向限界。