[发明专利]具有多个可彼此分开运行的像素的显示设备在审

专利信息
申请号: 201680027611.2 申请日: 2016-05-11
公开(公告)号: CN107636832A 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 亚历山大·普福伊费尔;多米尼克·斯科尔茨 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 丁永凡,李建航
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 多个可 彼此 分开 运行 像素 显示 设备
【权利要求书】:

1.一种具有多个能彼此分开运行的像素(1a,1b,1c)的显示设备(1),所述显示设备包括:

-用于产生电磁辐射的半导体层序列(3),所述半导体层序列具有第一半导体层(31)、有源层(33)和第二半导体层(35),

-用于接触所述第一半导体层(31)的第一接触结构(51)和用于接触所述第二半导体层(35)的第二接触结构(55),其中

-所述第一接触结构(51)具有能彼此分开运行的第一接触部(51a,51b,51c),所述第一接触部分别横向无中断地沿着所述第一半导体层(31)延伸,并且分别借助其轮廓对像素(1a,1b,1c)横向限界,

-所述半导体层序列(3)和所述第一接触结构(51)具有至少一个关于相应的像素(1a,1b,1c)横向邻接的凹部(7a,7b),所述凹部穿过所述第一接触结构(51)、所述第一半导体层(31)和所述有源层(33)延伸进入到所述第二半导体层(35)中,和

-所述第二接触结构(55)具有第二接触部(55a,55b),所述第二接触部从所述半导体层序列(3)的朝向所述第一接触结构(51)的一侧延伸穿过至少一个所述凹部(7a,7b)。

2.根据权利要求1所述的显示设备(1),

其中所述第一接触部和第二接触部(51a,51b,51c,55a,55b)分别与所述第一半导体层和第二半导体层(31,35)直接接触。

3.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1),

其中多个第二接触部(55a,55b)与至少一个所述像素(1a,1b,1c)相关联,所述第二接触部冗余地接触相应的所述像素(1a,1b,1c)。

4.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1),

其中所述第二接触部(55a,55b)中的至少一个第二接触部横向地邻接于多个相邻的像素(1a,1b,1c)设置,并且构成用于接触多个相邻的所述像素(1a,1b,1c)。

5.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1),

其中所述像素(1a,1b,1c)横向网格状分离地设置,其中所述第二接触部(55a,55b)中的至少一个第二接触部设置在网格(100)的节点(100x)上。

6.根据权利要求5所述的显示设备(1),

其中在所述网格(100)的每个节点(100x)上设置有所述第二接触部(55a,55b)中的一个第二接触部。

7.根据权利要求5所述的显示设备(1),

其中在所述网格(100)的每第二个横向依次的节点(100x)上设置有所述第二接触部(55a,55b)中的一个第二接触部。

8.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1),

其中所述第二接触部(55a,55b)中与下述像素(1a,1b,1c)相关联的至少一个第二接触部平行地以沿着边缘区域(10c)延伸的方式构成,该像素邻接于所述显示设备(1)的横向的边缘区域(10c)。

9.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1),

其中与像素(1a,1b,1c)相关联的第二接触部(55a,55b)的横向延伸分别与同相应的像素(1a,1b,1c)相关联的第二接触部(55a,55b)的数量相关。

10.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1),

其中所述第二接触部(55a,55b)中的与下述像素(1a,1b,1c)相关联的至少一个第二接触部具有预设的间距,相应的第二接触部(55a,55b)以所述间距朝向所述显示设备(1)的横向内部错开地设置,该像素邻接于所述显示设备(1)的横向的边缘区域(10c)。

11.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1),

其中所述第二接触部(55a,55b)中的至少一个第二接触部的横向延伸圆形地构成。

12.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1),

其中所述第二接触部(55a,55b)中的至少一个第二接触部横向地包围像素(1a,1b,1c)。

13.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1),

其中所述第二接触结构(55)网格形地构成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680027611.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top