[发明专利]印刷电路板和制造印刷电路板的方法有效
申请号: | 201680027050.6 | 申请日: | 2016-03-11 |
公开(公告)号: | CN107636819B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 马库斯·迈尔 | 申请(专利权)人: | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王晖;李丙林 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 印刷 电路板 制造 方法 | ||
提供了印刷电路板,该印刷电路板包括:具有30微米至120微米之间的厚度的导电金属的芯层,将芯层夹在中间的上介电层和下介电层;布置在上介电层上方的上导电层和布置在下介电层下方的下导电层;至少一个过孔,该至少一个过孔从上导电层穿至下导电层并且至少部分地填充有上介电层和/或下介电层的介电材料;以及至少一个盲过孔,该至少一个盲过孔将上导电层与芯层连接。
技术领域
本发明大体上涉及电子部件的技术领域。特别地,本发明涉及用于集成电子电路的印刷电路板。本发明还涉及制造印刷电路板的方法。此外,本发明涉及包括电子电路的电子部件。
背景技术
在半导体器件和封装件的领域中,印刷电路板(PCB)被广泛地用作基板或承载件,以用于形成包括集成电路的电子模块或封装件。最初,这种PCB包括介电承载件,在该介电承载件上通过光刻过程形成导电路径。同时,已知有包括多层的堆叠体的更复杂的PCB。例如,一种类型的PCB包括三个导电层的堆叠体,在该三个导电层之间布置有使导电层电隔离的两个介电层。特别地,这种PCB包括金属芯层,该金属芯层可以用作电接地和/或用作将布置在PCB上的电子电路中生成的热量排出的散热器。此外,在金属芯层的每个主表面上布置介电层,并在每个介电层上布置(图案化的)导电层。为了将两个外导电层电连接和/或将两个外导电层热连接,可以形成穿过堆叠体将一个导电层的导电路径电连接至金属芯层和/或另一导电层的导电路径的过孔。然而,制造这种堆叠式PCB的方法可能较为复杂。
发明内容
虽然已经存在已知的具有堆叠式多层结构的印刷电路板(PCB),但是可能仍然需要可替代的PCB以及制造该可替代的PCB的方法,其中,可以以不太复杂的过程制造该PCB。
通过根据本申请的主题可以满足这一需求。在本申请的下文描述了本发明的有利的实施方案。
根据示例性方面,提供了一种印刷电路板,该印刷电路板包括:导电金属的芯层,该芯层具有30微米至120微米之间的厚度;将芯层夹在中间的上介电层和下介电层;布置在上介电层上方的上导电层和布置在下介电层下方的下导电层;至少一个贯穿过孔,该至少一个贯穿过孔从上导电层穿至下导电层并至少部分地填充有上介电层和/或下介电层的介电材料;以及至少一个盲过孔,该至少一个盲过孔将上导电层与芯层连接。
特别地,芯层的厚度可以在50微米至120微米的范围内,例如在75微米至120微米的范围内或者75微米至100微米的范围内,例如(约)100微米。约100微米的上限可能足矣,因为更高的厚度可能不会再改善热量排放,而只可以产生额外的(材料)成本。应注意,芯层可能例如由于两个介电层和/或导电层可能具有不同的厚度而偏离中心。然而,优选地,芯层(基本上)处于中心位置。使用具有在这种范围内的厚度的芯层可能是特别有用或有利的,因为这样的厚度仍然可以使多层结构能够具有足够的刚度或硬度以相对容易地处理该多层结构,同时仍然能够实现在后续过程步骤期间如在层压过程等期间可以“自动地”填充在芯层中形成的过孔。特别地,可以通过机械钻孔或通过使用激光器来形成贯穿过孔。
应注意,术语“填充有”可能与术语“填塞有”不同。填塞有可以理解为通过包括提供和使用填塞材料的单独的过程进行装填,术语“填充”可以理解为在过程步骤期间已经存在的材料(如,介电层的介电材料)流入过孔并填充该过孔。因此,虽然填塞过程可以基于使用额外材料,但填充步骤可以在不应用或不使用额外材料的情况下进行。特别地,“填充”甚至可以是另一步骤的副作用,例如在中心芯层的上方和下方形成或处理介电层可能同时提供对布置在芯层中的孔或过孔的(至少部分地)填充。因此,使用“填充过程”代替填塞步骤可以在制造或处理期间节省一个过程步骤(应用填塞料),并因此可以简化整个过程。在芯层厚度薄(对应于相对短的过孔)的情况下和/或在具有相对小的直径的过孔的情况下尤其如此,因为这可以方便或促进过孔可以在过程步骤期间完全由流入过孔的材料填充。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造