[发明专利]环形振荡器试验电路

权利要求书

1.一种在试验电路中试验晶体管的方法，其中所述试验电路包括：

第一电压输入；

第二电压输入；

参考电压输入；

奇数的多个级，每个级包括：

i)负载晶体管，包括电连接到所述第一电压输入的漏极连接、电连接到所述第二电压输入的栅极连接和源极连接；和

ii)与所述负载晶体管相同模式的驱动晶体管，包括电连接到所述负载晶体管的所述源极连接以形成共同节点的漏极连接、栅极连接和电连接到所述参考电压输入的源极连接；和

电连接到所述共同节点之一的试验输出，

其中所述级从第一级到最后级排列，所述最后级的所述共同节点电连接到所述第一级的所述驱动晶体管的栅极，且所述级的其它每个的所述共同节点电连接到相应下一级的驱动晶体管的栅极，且其中所有所述晶体管以相同模式操作，

所述方法包括：

将第一电压水平输入到所述第一电压输入和将第二电压水平输入到所述第二电压输入，所述第二电压输入与所述共同节点分开和不同；

在所述试验输出监测输出信号；

将第三电压水平输入到所述第一电压输入，且将第四电压水平输入到所述第二电压输入，并在试验输出监测输出信号，其中所述第一和第二电压水平形成所述电路中的所述晶体管的第一试验条件，且所述第三和第四电压水平形成所述电路中的所述晶体管的第二试验条件，

在所述第一试验条件和所述第二试验条件之间切换所述电路；和

分析所述输出信号以评估晶体管性能。

2.根据权利要求1的方法，其中所有所述晶体管都是增强模式晶体管。

3.根据权利要求1的方法，其中所有所述晶体管都是耗尽模式晶体管。

4.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中所有所述晶体管都是相同类型的晶体管。

5.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中选择所述第一和第二电压水平以引起所述试验电路中的成环。

6.根据权利要求1至3任一项的方法，其中所述分析包括在一段时间内监测输出信号频率和输出信号电压水平中的至少一个并识别所述信号频率和电压水平中的变化。

7.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中独立选择所述第一电压水平和所述第二电压水平。

8.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中所述第一电压水平设置为高电压，且设置所述第二电压水平以防止电流流过所述晶体管，以便在高压反向偏压(HVRB)条件中试验所述晶体管。

9.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中所述第一电压水平设置为零偏压，且设置所述第二电压水平使电流流过所述晶体管，以便在高压栅极偏压(HVGB)条件中试验所述晶体管。

10.根据权利要求1至3中任一项的方法，还包括连接各个级之间的附加电感和/或连接电容到每个所述栅极连接。