[发明专利]吸附机构、吸附方法、制造装置及制造方法有效
| 申请号: | 201680025715.X | 申请日: | 2016-06-13 |
| 公开(公告)号: | CN107533965B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
| 发明(设计)人: | 傅藤胜则;今井一郎;石桥干司 | 申请(专利权)人: | 东和株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 齐葵;周艳玲 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 吸附 机构 方法 制造 装置 | ||
通过设置于切削用夹具且具有第1吸附面积的第1吸附口,将形成有多个单位区域的封装后基板吸附于切削用夹具。在所吸附的封装后基板的至少一部分切断线上,使用第1旋转刀来形成切削槽。通过设置于切断用夹具的多个第2吸附口,将封装后基板吸附于切断用夹具。一个第2吸附口利用第2吸附面积来吸附一个单位区域。在吸附于切断用夹具的封装后基板的切断线上,使用第2旋转刀来切断封装后基板。由于包含于第1吸附面积且吸附一个单位区域的单位吸附面积大于第2吸附面积,因此能够将具有翘曲的封装后基板切实地吸附于切削用夹具。通过所形成的切削槽来降低封装后基板的翘曲。
技术领域
本发明涉及一种通过将被切断物切断而制造经单片化的多个制品时使用的吸附机构、吸附方法、制造装置及制造方法。
背景技术
将以如下方式制作而成的基板称为封装后基板:即,将由印刷基板或引线框等构成的基板假想地划分为格子状的多个区域,并将芯片状的元件(例如,半导体芯片)安装于各个区域之后对基板整体进行树脂封装。通过使用旋转刀等的切断机构将封装后基板切断而单片化为各个区域单位的结果成为制品。在树脂封装工序中,通过使流动性树脂硬化而形成由硬化树脂构成的封装树脂。
一直以来,使用切断装置且利用旋转刀等切断机构来将封装后基板的规定区域切断。首先,将封装后基板载置于切断用平台(切断用夹具)上。其次,使封装后基板对准(位置对准)。通过对准而设定用于区划多个区域的假想切断线的位置。其次,使载置有封装后基板的切断用平台与切断机构相对移动。将切削水喷射至封装后基板的切断部位,并且通过切断机构沿设定于封装后基板的切断线将封装后基板切断。通过切断封装后基板而制造经单片化的制品。
在切断用平台上安装有切断用夹具。在切断用夹具中设置有用于抽吸封装后基板或经单片化的制品的多个抽吸通路。在切断用平台上设置有与多个抽吸通路连接的空间。多个抽吸通路经由该空间连接于外部的抽吸机构、例如真空泵。利用真空泵抽吸封装后基板或多个制品,由此将封装后基板或多个制品吸附于切断用夹具。
近年来,伴随电子设备的高功能化、小型化及高速化,半导体制品也越来越向高性能化、多功能化及小型化发展。为了提高半导体的生产效率,处于使封装后基板大型化及薄型化的倾向。由于使封装后基板大型化,从一片封装后基板取出的制品数量增加。由于封装后基板的薄型化,经单片化的制品薄型化。因此,对电子设备的安装效率提高。另一方面,由于封装后基板的大型化及薄型化,因流动性树脂硬化时的压缩应力造成的树脂封装后的封装后基板的翘曲较大。若封装后基板的翘曲较大,则有可能难以将封装后基板吸附于切断用夹具。若无法将封装后基板吸附于吸附夹具,则产生无法将封装后基板切断的问题。因此,在使封装后基板单片化时,重要的是将具有翘曲的封装后基板切实地吸附于吸附夹具。
作为封装基板的分割方法,提供如下的封装基板的分割方法:“(略)其为封装基板的分割方法,该方法包括:载置步骤,将封装基板载置于固定夹具上,所述固定夹具包括用于保持封装基板的保持面,并且具备:(略);多个蛇腹型吸附垫,(略)吸附部从该保持面突出;(略),该保持面由橡胶形成;及分割步骤,(略)利用切削刀片将保持于该固定夹具的封装基板切削而分割为各个封装(例如,参照专利文献1的第[0012]段、图5~图8)”。
专利文献1:日本专利特开2011-40542号公报
然而,根据专利文献1中公开的固定夹具20,产生如下问题。如专利文献1的图5所示,在固定夹具20的保持板50上形成有具有第1直径的多个圆孔52、分别与圆孔52连续而形成的具有大于第1直径的第2直径的多个圆孔54、及与各圆孔54连通的较大的凹部56。在各圆孔52中安装有具有抽吸路径59的抽吸件58,且在各抽吸件58上安装有由树脂形成的蛇腹型吸附垫24。在保持构件62中形成有与各圆孔54连通的多个圆孔64。通过连续形成的圆孔54与圆孔64而划分凹部,并且在该凹部内配设有蛇腹型吸附垫24。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





