[发明专利]吸附机构、吸附方法、制造装置及制造方法有效
| 申请号: | 201680025715.X | 申请日: | 2016-06-13 |
| 公开(公告)号: | CN107533965B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
| 发明(设计)人: | 傅藤胜则;今井一郎;石桥干司 | 申请(专利权)人: | 东和株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 齐葵;周艳玲 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 吸附 机构 方法 制造 装置 | ||
1.一种吸附机构,在如下过程中使用:即,通过吸附具有由多条切断线区划的多个单位区域的被切断物并将所述被切断物切断,从而制造与多个所述单位区域分别对应的多个制品,
所述吸附机构的特征在于,具备:
第1平台,用于载置所述被切断物;
第1夹具,被安装在所述第1平台上,在对所述被切断物形成切削槽的工序中使用所述第1夹具;及
一个或多个第1吸附口,被设置在所述第1夹具上,分别通过第1吸附面积来吸附所述被切断物,
单位吸附面积大于第2吸附面积,其中,所述单位吸附面积为所述第1吸附面积所包含的面积,即所述单位吸附面积为吸附一个所述单位区域的面积,所述第2吸附面积为在将所述被切断物切断的工序中使用的第2夹具中与多个所述单位区域分别对应地区划设置的多个第2吸附口中的每一个第2吸附口吸附一个所述单位区域的面积。
2.一种吸附方法,在如下过程中使用:即,通过吸附具有由多条切断线区划的多个单位区域的被切断物并将所述被切断物切断,从而制造与多个所述单位区域分别对应的多个制品,
所述吸附方法的特征在于,包括以下工序:
准备用于载置所述被切断物的第1平台;
准备安装在所述第1平台上且在对所述被切断物形成切削槽的工序中使用的第1夹具;
准备一个或多个第1吸附口,所述第1吸附口被设置在所述第1夹具上,分别通过第1吸附面积来吸附所述被切断物;及
使用一个或多个所述第1吸附口且通过单位吸附面积来吸附所述被切断物,其中,所述单位吸附面积为所述第1吸附面积所包含的面积,即所述单位吸附面积为吸附一个所述单位区域的面积,
所述单位吸附面积大于第2吸附面积,其中,所述第2吸附面积为在将所述被切断物切断的工序中使用的第2夹具中与多个所述单位区域分别对应地区划设置的多个第2吸附口中的每一个第2吸附口吸附一个所述单位区域的面积。
3.一种制造装置,具备:切断机构,用于对具有由多条切断线区划的多个单位区域的被切断物进行切削;及旋转刀,被设置于所述切断机构,所述制造装置在通过将所述被切断物切断而制造与多个所述单位区域分别对应的多个制品的过程中使用,
所述制造装置的特征在于,
具备权利要求1所述的吸附机构。
4.一种制造装置,具备:切断机构,用于对具有由多条切断线区划的多个单位区域的被切断物进行切削;及旋转刀,被设置于所述切断机构,所述制造装置在通过将所述被切断物切断而制造与多个所述单位区域分别对应的多个制品的过程中使用,
所述制造装置的特征在于,具备:
第1平台,用于载置所述被切断物;
第2平台,用于载置所述被切断物;
移动机构,用于使所述第1平台及所述第2平台与所述切断机构相对移动;
第1夹具,被安装在所述第1平台上;
一个或多个第1吸附口,被设置在所述第1夹具上,分别通过第1吸附面积来吸附所述被切断物;
第2夹具,被安装在所述第2平台上;及
多个第2吸附口,在所述第2夹具中与多个所述单位区域分别对应地设置,且分别通过第2吸附面积来吸附一个所述单位区域,
单位吸附面积大于所述第2吸附面积,其中,所述单位吸附面积为所述第1吸附面积所包含的面积,即所述单位吸附面积为分别吸附多个所述单位区域的面积,
在所述第1夹具中,通过所述旋转刀沿多条所述切断线中的至少一条所述切断线而切削所述被切断物的全部厚度中的一部分厚度,从而形成至少一条切削槽,
在所述第1夹具中,形成具有由所述切削槽区划的多个中间区域的半成品,
在所述第2夹具中,通过利用所述旋转刀沿多条所述切断线将所述半成品切断,从而制造由多个所述第2吸附口分别吸附的多个所述制品。
5.根据权利要求4所述的制造装置,其特征在于,具备:
所述切断机构所具有的第1切断机构;及
所述切断机构所具有的第2切断机构,
在所述第1夹具中,通过设置于所述第1切断机构的第1旋转刀来形成所述切削槽,
在所述第2夹具中,通过设置于所述第2切断机构的第2旋转刀来切断所述半成品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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