[发明专利]太阳能电池钝化层在审
申请号: | 201680024525.6 | 申请日: | 2016-03-24 |
公开(公告)号: | CN107534064A | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 林承笵;戴维·D·史密斯;迈克尔·C·约翰逊;克里斯廷·布尔特·西蒙斯 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/0747 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 顾丽波,李荣胜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 钝化 | ||
技术领域
本公开的实施例属于可再生能源领域,并且具体地讲,涉及制造具有钝化层的太阳能电池的方法,以及所得太阳能电池。
背景技术
光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲,使用半导体加工技术在半导体基板的表面附近形成p-n结,从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区和n掺杂区,从而在掺杂区之间产生电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区,以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。
效率是太阳能电池的重要特性,因其直接与太阳能电池发电能力有关。同样,制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此,提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍需要的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。本公开的一些实施例允许通过提供新型太阳能电池结构来提高太阳能电池效率。
附图说明
图1A-1D示出了根据本公开实施例的太阳能电池制造中的各个阶段的剖视图,其中:
图1A示出了太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图,其涉及在所述基板的第一表面上形成多个发射极区;
图1B示出了在多个发射极区中的每个发射极区上方以及在多个发射极区中的各发射极区之间形成非晶硅钝化层之后的图1A的结构的剖视图;
图1C示出了在所述非晶硅钝化层上形成氮化硅层之后的图1B的结构的剖视图;以及
图1D示出了在形成连接到多个发射极区的多个导电触点之后的图1C的结构的剖视图;
图2A-2B示出了根据本公开的另一个实施例的太阳能电池制造中的各个阶段的剖视图,其中:
图2A示出了太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图,其涉及在所述基板的第一表面上形成多个发射极区,以及在多个发射极区中的每个发射极区上和在多个发射极区中的各发射极区之间形成介电层;以及
图2B示出了在形成连接到多个发射极区的多个导电触点之后的图2A的结构的剖视图;
图3为根据本公开的实施例的流程图,该流程图列出了与图1A-1D或2A-2B相对应的制造太阳能电池的方法中的操作。
具体实施方式
以下具体实施方式本质上只是例证性的,并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用,词语“示例性”意指“用作示例、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其他实施是优选的或有利的。此外,并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。
本说明书包括提及“一个实施例”或“实施例”。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。
术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中术语的定义和/或语境:
“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用,该术语并不排除其他结构或步骤。
“被配置为”。各个单元或部件可被描述或声明成“被配置为”执行一项或多项任务。在这样的语境下,“被配置为”用于通过指示该单元/部件包括在操作期间执行一项或多项那些任务的结构而暗示结构。因此,可以说是将单元/部件配置成即使当指定的单元/部件目前不在操作(例如,未开启/激活)时也可执行任务。详述某一单元/电路/部件“被配置为”执行一项或多项任务明确地意在对该单元/部件而言不援用35U.S.C.§112第六段。
“第一”、“第二”等。如本文所用,这些术语用作其之后的名词的标记,而并不暗示任何类型的顺序(例如,空间、时间和逻辑等)。例如,提及“第一”太阳能电池并不一定暗示该太阳能电池为某一序列中的第一个太阳能电池;相反,术语“第一”用于区分该太阳能电池与另一个太阳能电池(例如,“第二”太阳能电池)。
“耦接”以下描述是指元件或节点或结构特征被“耦接”在一起。如本文所用,除非另外明确指明,否则“耦接”意指一个元件/节点/特征直接或间接连接至另一个元件/节点/特征(或直接或间接与其连通),并且不一定是机械连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太阳能公司,未经太阳能公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的