[发明专利]太阳能电池钝化层

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

基板，具有第一表面和第二表面；

多个发射极区，设置在所述基板的所述第一表面上并且彼此隔开；

非晶硅钝化层，设置在所述多个发射极区中的每个发射极区上以及

在所述多个发射极区中的各发射极区之间，直接位于所述基板的所述第一表面的暴露部分上。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述基板为轻掺杂的N型单晶基板，所述基板的所述第一表面的暴露部分处的磷掺杂浓度大约在1E14-1E16原子每立方厘米的范围内。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中所述非晶硅钝化层为本征非晶硅层。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中所述本征非晶硅层的总组分具有的总氢浓度大约在总膜组分的5-30原子百分比的范围内。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中所述本征非晶硅层的厚度大约在3-15纳米的范围内。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括：

设置在所述非晶硅钝化层上的一个氮化硅层，所述氮化硅层的厚度大约在30-100纳米的范围内。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，还包括：

电连接到所述多个发射极区的相应发射极区的多个导电触点，所述多个导电触点穿过所述氮化硅层和所述非晶硅钝化层而形成。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述太阳能电池为背接触太阳能电池，所述第一表面是所述基板的背面，所述第二表面是所述基板的光接收表面，以及所述多个发射极区是多个交替N型和P型多晶硅发射极区，其均设置于所述基板的所述第一表面上所设置的薄介电层上。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述多个发射极区是多个N型多晶硅发射极区，所述太阳能电池还包括：

多个P型发射极区，设置在所述基板的所述第二表面上并且彼此隔开；

第二非晶硅钝化层，设置在所述多个P型发射极区中的每个发射极区上方以及在所述多个P型发射极区中的各发射极区之间，直接位于所述基板的第二表面的暴露部分上。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述多个发射极区中的每个发射极区通过设置在所述基板的所述第一表面中的多个沟槽彼此隔开，其中所述非晶硅钝化层设置在所述多个沟槽中。

11.一种太阳能电池，包括：

基板，具有第一表面和第二表面；

多个发射极区，设置在所述基板的所述第一表面上并且彼此隔开；

介电层，设置在所述多个发射极区中的每个发射极区上以及在所述多个发射极区中的各发射极区之间，直接位于所述基板的所述第一表面的暴露部分上；以及

非晶硅钝化层，设置在所述介电层上。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中，所述基板为N型单晶基板，所述基板第一表面的暴露部分处的的磷掺杂浓度大约在1E18-1E20原子每立方厘米的范围内。

13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其中，所述非晶硅钝化层是选自由本征非晶硅层、N型非晶硅层和P型非晶硅层组成的组的层。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中所述非晶硅钝化层的总组分的总氢浓度大约在总膜组分的5-30原子百分比的范围内。

15.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中所述非晶硅钝化层的厚度大约在3-15纳米的范围内。

16.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中，所述介电层包括二氧化硅层，所述太阳能电池还包括：

设置在所述非晶硅钝化层上的氮化硅层，所述氮化硅层的厚度大约在30-100纳米的范围内。

17.根据权利要求16所述的太阳能电池，还包括：

电连接到所述多个发射极区的相应发射极区的多个导电触点，所述多个导电触点穿过所述氮化硅层、所述非晶硅钝化层和所述介电层而形成。