[发明专利]包含流动隔离环的处理套组

说明书

提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括流动隔离环，该流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。

背景

技术领域

本发明所述实施例一般涉及用于半导体处理腔室的处理套组、具有处理套件的半导体处理腔室、以及用于在其中沉积硅基材料的方法。

背景技术

在集成电路的制造中，如化学气相沉积(CVD)或等离子体增强CVD处理的沉积处理用于将各式材料的薄膜沉积在半导体基板上。这些沉积可发生在封闭的处理腔室中。用于沉积的处理气体将薄膜沉积在基板上，但亦可将残留物沉积于处理腔室的内壁及其他组件上。随着更多基板于腔室中处理，此残留物累积并导致颗粒与其他污染物的产生。这些颗粒和污染物可能使得基板上沉积的薄膜劣化(degradation)而造成产品质量问题。处理腔室必须定期清洗，以除去在腔室组件上的沉积残余物。

处理套组可设置在腔室中，以帮助相对于基板在腔室内的希望区域中限定处理区域。处理套组通常包括一或多个衬垫。衬垫可经配置以协助将等离子体限制于处理区域中，并帮助防止腔室中的其他组件被诸如上述的残余物之类的沉积的材料污染。可在基板支撑件上方供应处理气体。可自基板支撑件下方提供净化气体，以防止处理气体到达腔室底部处的区域以及导致残留物沉积于基板支撑件下方的区域中。可使用远离处理区域(诸如绕处理腔室外周)设置的共同排气装置将处理气体和净化气体自处理腔室移除，以防止净化气体与处理气体在处理区域中混合。使用上述的配置，原因不明的电弧和颗粒形成可能发生在基板上方的处理区域中，从而造成在处理腔室中制造的产品中的缺陷。因此，对于改进的处理腔室或处理腔室中的改进的处理组件是有所需求的，以防止这种原因不明的电弧和颗粒形成。

发明内容

本发明公开的实施例一般涉及用于保护处理腔室(诸如等离子体处理腔室)中不同部分的处理套组。在一个实施例中，提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括流动隔离环，该流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。

在另一个实施例中，提供了一种在处理腔室中处理基板的方法，该处理腔室包含基板支撑件、第一衬垫与流动隔离环。该方法包括将该流动隔离环的外部底表面放置于该第一衬垫的顶表面上，其中该第一衬垫相对于该基板支撑件向外设置及该流动隔离环包含相对于该外部底表面向内延伸的内部底表面。该方法进一步包括使该基板支撑件自下降位置上升至举升位置而使用该基板支撑件的外突出部分通过该内部底表面将该流动隔离环自该第一衬垫举升，其中该第一衬垫绕该基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。该流动隔离环的该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。该方法进一步包括自该基板支撑件上方供应处理气体及自该基板支撑件下方供应净化气体。