[发明专利]包含流动隔离环的处理套组

权利要求书

1.一种处理腔室，包括：

侧壁；

基板支撑件，所述基板支撑件具有外突出部分；

气体入口，所述气体入口在所述基板支撑件的下方；

第一衬垫，所述第一衬垫具有通过第一间隙而与所述基板支撑件的所述外突出部分分隔的环形内表面，所述第一衬垫进一步具有外倾斜表面；及

流动隔离环，所述流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，所述内部底表面在所述基板支撑件处于举升位置时被配置成设置于所述基板支撑件的所述外突出部分上，所述外部底表面相对于所述内部底表面向外延伸，所述外部底表面覆盖在所述第一间隙之上，其中所述流动隔离环进一步包括：

顶表面，所述顶表面相对于所述外部底表面的外缘向内定位；及

所述顶表面与所述外部底表面之间的外倾斜表面，所述外倾斜表面朝所述顶表面向内定向，其中

当所述基板支撑件处于下降位置时，所述流动隔离环的所述外部底表面被配置成设置于所述第一衬垫上，及

当所述基板支撑件处于所述下降位置时，所述流动隔离环的外倾斜表面和所述第一衬垫的外倾斜表面被配置成在同一直线上。

2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述第一衬垫的顶表面在所述外突出部分的底表面之上。

3.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述流动隔离环的所述外部底表面覆盖所述第一衬垫的所述顶表面的至少一半。

4.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述流动隔离环的所述外部底表面覆盖所述第一衬垫的所述顶表面的全部。

5.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述流动隔离环的所述外部底表面与所述第一衬垫的所述顶表面分隔200密耳至400密耳的距离。

6.如权利要求5所述的处理腔室，其中所述流动隔离环包括自所述外部底表面向下延伸的凸部。

7.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述第一间隙从50密耳至100密耳。

8.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述基板支撑件的所述外突出部分比所述基板支撑件的基板支撑表面低。

9.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括气体分配板，所述气体分配板设置于所述基板支撑件之上。

10.一种在处理腔室中处理基板的方法，所述处理腔室包含基板支撑件、第一衬垫与流动隔离环，所述方法包括以下步骤：

将所述流动隔离环的外部底表面放置于所述第一衬垫的顶表面上，其中

所述第一衬垫相对于所述基板支撑件向外设置及所述流动隔离环包含相对于所述外部底表面向内延伸的内部底表面，以及

所述流动隔离环和所述第一衬垫各自具有外倾斜表面，所述流动隔离环的外倾斜表面位于所述流动隔离环的顶表面与所述外部底表面之间，且所述外倾斜表面朝所述流动隔离环的所述顶表面向内定向；

使所述基板支撑件自下降位置上升至举升位置而使用所述基板支撑件的外突出部分通过所述内部底表面将所述流动隔离环自所述第一衬垫举升，其中

当所述基板支撑件处于所述下降位置时，所述流动隔离环的外倾斜表面和所述第一衬垫的外倾斜表面被配置成在同一直线上；

所述第一衬垫具有内表面，所述内表面通过第一间隙而与所述基板支撑件的所述外突出部分分隔；及

所述流动隔离环的所述外部底表面覆盖在所述第一间隙之上；及

自所述基板支撑件上方供应处理气体及自所述基板支撑件下方供应净化气体。

11.如权利要求10所述的方法，其中当所述基板支撑件在所述举升位置时，所述流动隔离环的所述外部底表面覆盖所述第一衬垫的所述顶表面的全部。

12.如权利要求10所述的方法，进一步包括以下步骤：通过通道将所述处理气体与所述净化气体自所述处理腔室排出，所述通道相对于所述第一衬垫向外设置且在所述第一衬垫的所述顶表面之下。

13.一种用于处理基板的处理套组，包括：

第一衬垫，所述第一衬垫具有环形主体、顶表面及外倾斜表面；

流动隔离环，所述流动隔离环包含：

外部底表面，所述外部底表面设置在所述第一衬垫的所述顶表面上；

内部底表面，所述内部底表面相对于所述第一衬垫向内延伸；及

外倾斜表面，所述外倾斜表面相对于水平面以40度和50度之间的角度定向；及

第二衬垫，所述第二衬垫至少环绕所述第一衬垫的所述顶表面，所述第二衬垫具有内倾斜表面，所述内倾斜表面设置于所述流动隔离环之上，其中

所述第二衬垫的所述内倾斜表面与所述流动隔离环的所述外倾斜表面彼此平行，以及

所述流动隔离环的外倾斜表面和所述第一衬垫的外倾斜表面在同一直线上。